"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слабо легированном бесщелевом полупроводнике p-Hg1-xCdxTe
Германенко А.В., Кружаев В.В., Миньков Г.М., Рут О.Э.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Экспериментально исследованы удельное сопротивление (rho) и эффект Холла в p-Hg1-xCdxTe с varepsilonq~=-40 мэВ в магнитных полях до 50 кЭ и области температур 1.7-77 K. Показано, что в структурно совершенных кристаллах бесщелевого p-Hg1-xCdxTe в полях H>15 кЭ коэффициент Холла (R) положителен и зависимости R (1/T), rho(1/T) имеют активационный характер с энергией активации (5±0.5) мэВ, равной энергии ионизации акцептора. Проводимость по примесной зоне при NA-ND~=1016 см-3, как и в полупроводниковом p-Hg1-xCdxTe, не превышает 10-4 Ом-1·см-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.