"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода
Абрамов И.И.1, Гончаренко И.А.1, Коломейцева Н.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 24 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2007 г.

Предложена комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. Ее главная особенность --- возможность учета взаимодействия различных классических и квантово-механических областей прибора при одновременном учете Gamma-X-междолинного рассеяния. Показано, что с помощью модели можно получить удовлетворительное согласование с экспериментальными данными по вольт-амперным характеристикам и объяснить область "плато" на этих характеристиках в рамках стационарной модели. PACS: 73.40.Gk, 68.65.Cd
  • N.J. Pulsford, R.J. Nicholas, P. Dawson, K.J. Moore, G. Duggan, C.T.B. Foxon. Phys. Rev. Lett., 63 (20), 2284 (1989)
  • H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51 (13), 1019 (1987)
  • J.P. Sun, R.K. Mains, K. Yang, G.I. Haddad. J. Appl. Phys., 74 (8), 5053 (1993)
  • Y.-C. Chang. Phys. Rev. B, 37 (14), 8215 (1988)
  • S. Biondini, G. Borgioli. Proc. WASCOM2003 12 th Conf. on Waves and Stability in Continuous Media (World Scientific, Singapore, 2004) p. 78
  • R. Yang, M. Sweeny, D. Day, J. Xu. IEEE Trans. Electron. Dev., 38 (3), 442 (1991)
  • O. Morandi, M. Modugno. Phys. Rev. B, 71 (23), 235 331 (2005)
  • D. Ting, E. Yu, T. McGill. Phys. Rev. B, 45 (7), 3583 (1992)
  • Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков. Изв. вузов. Физика, 10, 3 (2000)
  • С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышев. ФТП, 28 (8), 1393 (1994)
  • Г.Ф. Караваев, С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышев. Изв. вузов. Физика, 9, 64 (1992)
  • Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков. Изв. вузов. Физика, 1, 78 (2003)
  • L. Demeio, L. Barletti, A. Bertoni, P. Bordone, C. Jacoboni. Physica B, 314, 104 (2002)
  • R. Lake, G. Klimeck, R.C. Bowen, D. Jovanovich. J. Appl. Phys., 81 (12), 7845 (1997)
  • R.C. Bowen, G. Klimeck, R.K. Lake, W.R. Frensley, T. Moise. J. Appl. Phys., 81 (7), 3207 (1997)
  • T.B. Boykin, R.C. Bowen, G. Klimeck, K.L. Lear. Appl. Phys. Lett., 75 (9), 1302 (1999)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Электромагнит. волны и электрон. системы, 7 (3), 54 (2002)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. ФТП, 39 (9), 1138 (2005)
  • J.P. Sun, R.K. Mains, K. Yang, G.I. Haddad. J. Appl. Phys., 74 (8), 5053 (1993)
  • J.P. Sun. Modeling of semiconductor quantum devices and its application (Ph.D. Thesises, Dep. of EECS, Univ. of Michigan, Ann Arbor, 1993)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. Микросистемная техника, 9, 36 (2004)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. Докл. БГУИР. Электроника, материалы, технологии, информатика, 4, 42 (2004)
  • И.И. Абрамов. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем (Минск, БГУ, 1999)
  • И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.А. Игнатенко, А.В. Королев, Е.Г. Новик, А.И. Рогачев. Микроэлектроника, 32 (2), 124 (2003)
  • J.S. Wu, C.Y. Chang, C.P. Lee, K.H. Chang, D.G. Liu. Sol. St. Electron., 4, 403 (1991)
  • H. Mizuta, T. Tanoue. The physics and applications of resonant tunneling diodes (Cambridge University Press, 1995)
  • T. Wei, S. Stapleton, O. Berolo. J. Appl. Phys., 77 (8), 4071 (1995)
  • E.R. Brown, W.D. Goodhue, T.C. L.C. Sollner. J. Appl. Phys., 64 (3), 1519 (1988)
  • S.C. Kan, H. Morkoc, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 52 (26), 2250 (1988)
  • K.L. Jensen, F.A. Buot. Phys. Rev. Lett., 66 (8), 1078 (1991)
  • P. Zhao, D.L. Woolard, B.L. Gelmont, H.-L. Cui. J. Appl. Phys., 94 (3), 1833 (2003)
  • И.А. Обухов. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах (Севастополь, Вебер, 2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.