"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности динамической инжекции и процессов модуляции базового слоя в мощных n+-p-p+-структурах
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Тандоев А.Г.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2007 г.

Исследовано влияние эффекта насыщения скорости электронов на переключение n+-p-p+-структуры в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что насыщение скорости инжектированных n+-p-эмиттером электронов существенно замедляет пролет волны электронов через p-базу n+-p-p+-структуры. Этот эффект сказывается также на этапе накопления носителей заряда в p-базе структуры. Проявления эффекта насыщения скорости оказываются тем более существенными, чем больше толщина базового слоя и чем больше скорость нарастания тока, текущего через структуру. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффекта насыщения скорости носителей. Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента. PACS: 72.20.Ht, 73.40.Lq, 84.30.Jc
  • A.F. Kardo-Sysoev. In: Ultrawideband Radar Technology, ed. by J.D. Taylor (CRC Press, 2000) p. 205
  • P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I.V. Grekhov. J. Appl. Phys., 92, 1971 (2002)
  • А.В. Горбатюк, И.ВА. Грехов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, Н.С. Яковчук. Письма ЖТФ, 8, 685 (1982)
  • В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  • S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Sol. St. Electron., 47, 1255 (2003)
  • S.N. Vainshtein, J.T. Kostamovaara, Y. Sveshnikov, S. Gurevich, M. Kulagina, V.S. Yuferev, L. Shestak, M. Sverdlov. Electron. Lett., 40, 85 (2004)
  • И.В. Грехов. Изв. РАН Сер. Энергетика, N 1, 53 (2000)
  • I.V. Grekhov, G.A. Mesyats. IEEE Trans. Plasma Sci., 28, 1540 (2000)
  • С.А. Дарзнек, Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин. ДАН, 334, 304 (1994)
  • Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин, А.Л. Филатов. ДАН, 330, 515 (1993)
  • Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  • R.H. Dean. J. Appl. Phys., 46, 585 (1969)
  • С.Л. Румянцев. ФТП, 26, 1955 (1992)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M. Das, A.K. Agarwal. Semicond. Sci. Technol., 20, 62 (2005)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, P.A. Ivanov, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 99, 074 503 (2006)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • Э. Камке. Справочник по дифференциальным уравнениям в частных производных первого порядка (М., Наука, 1966)
  • T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  • Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  • T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 702 (2002)
  • П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005).
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices, ed. by M.S. Shur, S.L. Rumyantsev and M.E. Levinshtein (Singapore, World Scientific, 2006) v.1, p. 227
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Handbook Series of Semiconductor Parameters: Elementary Semiconductors and A-=SUP=-III-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-V-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=- Compounds Si, Ge, C, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb (Singapore, World Scientific, 1996) v. 1
  • В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.