"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства "иммерсионных" фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=1.8-2.3 мкм) в интервале температур 20-140oC
Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Шленский А.А.2, Лунин Л.С.3, Ратушный В.И.3, Корюк А.В.3, Тараканова Н.Г.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
3Южно-Российский государственный технический университет, Новочеркасск, Россия
4ООО "Иоффе-ЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Представлены результаты работы по созданию иммерсионных фотодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb с длинноволновыми границами фоточувствительности при 2.05 и 2.25 мкм (20oC). Обсуждаются спектральные и вольт-амперные характеристики, а также влияние конструкции фотодиода на его обнаружительную способность в диапазоне температур 20-140oC. PACS: 85.60.Dw, 85.60.Gz
  • Т.В. Андреева, В.В. Гаврушко, С.Г. Кузюков, Ю.Н. Прошкин, А.А. Сапожников, А.М. Чупраков, А.А. Шленский. Прикл. физика, N 2, 75 (2005)
  • И.А. Андреев, Н.Д. Ильинская, Е.В. Куницына, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 974 (2003)
  • T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, E. Kaminska, M. Piskorski, E. Papis, K. Golaszewska, J. Katcki, J. Ratajczak, J. Adamczewska, A. Wawro, J. Piotrowski, Z. Orman, J. Pawluczyk, Z. Nowak. Optoelectron. Rev., 9, 188 (2001)
  • B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, V.G. Polovinkin, N.G. Tarakanova. In: Progress in Semiconductor Materials V --- Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications [MRS Proc., 891, ed. by L.J. Olafsen, R.M. Biefeld, M.C. Wanke and A.W. Saxler (2006) paper \# 0891-EE01-04]
  • T. Ashley, D.T. Dutton, C.T. Elliott, N.T. Gordon, T.J. Phillips. Proc. SPIE, 3289, 43 (1998)
  • Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский. ФТП, 40, 356 (2006)
  • S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651, 157 (2002)
  • R.C. Johnes. Appl. Opt., 1, 607 (1962)
  • B. Andrews. Abstracts Int. Conf. on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices ( MIOMD-VI) (St. Petersburg, Russia, 2004) p. 90. http://www.ioffe.rssi.ru/MIOMD-VI/miomd-abs.html
  • B.A. Matveev. In: Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics [Spinger Ser. in Optical Science (2006) ISSN 0342--4111, p. 395]
  • V.T. Khryapov, V.P. Ponomarenko, V.G. Butkevitch, I.I. Taubkin, V.I. Stafeev, S.A. Popov, V.V. Osipov. Proc. SPIE, 1540, 412 (1991)
  • J.G. Crowder, T. Ashley, C.T. Elliott, G.J. Pryce, A.D. Johnson. Electron. Lett., 36, 1867 (2000)
  • L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, M.G. Milvidskii. Kristall and Technik, 13, 631 (1978)
  • J. Malinen, H. Lindstrom, J. Lehtomaa. Abstracts Int. Conf. on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices ( MIOMD-VII) (Lancaster, UK, 2005) p. 65. -2.7pthttp://www.lancs.ac.uk/depts/physics/conf/miomd-7/scope.html
  • В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
  • A.G. Fischer, C.J. Nuese. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Science, 116, 1718 (1969)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.