Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках

Брудный В.Н.¹, Колин Н.Г.², Смирнов Л.С.³

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Обнинский филиал ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Развита модель для численного анализа электрофизических свойств и оценки стационарного (предельного) положения уровня Ферми (F_lim) в тетраэдрических полупроводниках, облученных частицами высоких энергий. Показано, что облученный полупроводник является сильно компенсированным материалом, в котором значение F_lim тождественно < E_G>/2 (здесь < E_G> - средний энергетический интервал между зоной проводимости и валентной зоной в пределах всей зоны Бриллюэна кристалла). Приведены экспериментальные величины F_lim, расчетные значения < E_G>/2 и данные по электрофизическим свойствам облученных полупроводников. Проанализированы химические тенденции в изменении величины F_lim в группах полупроводников с родственным типом химической связи. PACS: 61.80.Az, 61.82.Fk, 72.20.Dp, 72.20.My, 72.60.+g

Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
V.N. Brudnyi, V.M. Diamond. Sol. St. Commun., 54 (4), 355 (1985)
В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5 (1), 176 (1971)
В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1968)
В.Н. Брудный, В.Г. Воеводин, О.В. Воеводина, С.Н. Гриняев, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, Г.Ф. Караваев. Изв. вузов. Физика, 41 (8), 26 (1998)
В.Н. Брудный. Вестн. Томского гос. ун-та, 285, 95 (2005)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348, 213 (2004)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 49 (8) (2006, в печати)
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, S.Y. Pearton, J.M. Zawada. J. Appl. Phys., 94 (5), 3069 (2003)
W. Walukiewicz, R.E. Jones, S.X. Li, K.M. Yu, J.W. Auger III, E.E. Halber, H. Lu, W.J. Schaff. J. Cryst. Growth, 288 (2), 278 (2006)
I. Mahboob, T.D. Veal, L.E.J. Piper, C.F. McConville, Hai Lu, W.J. Shaff, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 69, 201 307(R) (2004)
A. Chantre, G. Wincent, D. Bois. Phys. Rev. B, 23 (10), 5335 (1981)
R.H. Wallis, A. Zylbersztejn, J.M. Besson. Appl. Phys. Lett., 38, 698 (1981)
В.Н. Брудный. ФТП, 33 (11), 1290 (1999)
J.J. Rehn, W. Kohn. Phys. Rev. B, 10, 448 (1974)
В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. ТГУ (Томск, 1993)
D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 8, 5747 (1973)
Р.А. Эварестов. Квантово-химические методы в теории твердого тела (Л., Изд-во ЛГУ, 1982)
D. Pons, J. Bourgoin. J. Phys. C, 18, 3839 (1985)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 39 (4), 409 (2005)
Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, У.С. Юрова. ФТП, 21 (3), 521 (1987)
E. Tokumitsu. Jap. J. Appl. Phys., 29, L698 (1990)
Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 84 (6), 1232 (2000)
C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Nature, 423, 626 (2003)
W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 54, 2094 (1989)
V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. Status Solidi A, 128 (1), 311 (1991)
F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20 (2), 145 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель