Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Photoluminescence study on defects in multicrystalline silicon

Arguirov T.^1,2, Seifert W.^1,2, Jia G.^3,2, Kittler M.^1,2

¹IHP, Im Technologiepark 25,, Frankfurt (Oder), Germany
²IHP/BTU Joint Lab, Konrad Wachsmann Allee 1, Cottbus, Germany
³BTU Cottbus, Konrad Wachsmann Allee 1, Cottbus, Germany

Поступила в редакцию: 12 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

PDF версия

We report on spatially resolved luminescence measurements on ribbon grown silicon samples. It is found, that the band-edge luminescence shows anomalous temperature behaviour, namely an increase of the radiation intensity with temperature. Phosphorous diffusion gettering is found to enhance this effect. The anomalous temperature behaviour is attributed to nonradiative recombination governed by shallow traps. A shift in the phonon replica of the band edge luminescence peak has been observed and associated with tensile stress. PACS: 78.55.Ap, 78.55.Qr

I. Tarasov, S. Ostanko, C. Haessler, E.U. Reisner. Mater. Sci. Eng. B, 71, 51 (2000)
Y. Koshka, S. Ostapenko, I. Tarasov, S. McHugo, J.P. Kalejs. Appl. Phys. Lett., 74, 1555 (1999)
Tz. Arguirov, W. Seifert, M. Kittler, J. Reif. Mater. Sci. Eng. B, 102, 251 (2003)
V. Higgs, F. Chin, X. Wang. Sol. St. Phenomena, 63--64, 235 (1998)
V. Higgs, F. Chin, X. Wang, J. Mosalski, R. Beanland. J. Phys.: Condens. Matter, 12, 10 105 (2000)
H. Schlangenotto, H. Maeder, W. Gerlach. Phys. Status Solidi A, 21, 357 (1974)
H.J. Leamy, L.C. Kimerling, S.D. Ferris. In: Scanning Electron Microscopy / 1976 (Pt IV) p. 529. [ Proc. Workshop on Microelectronic Device Fabrication and Quality Control with the SEM (Chicago, IL, 1976) p. 60 616]
V.V. Kveder, E.A. Steinman, H.G. Grimmeiss. Sol. St. Phenomena, 47--48, 419 (1996)
V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
M.A. Vouk, E.C. Lightowlers. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 10, 3689 (1977)
I. De Wolf. Semicond. Sci. Technol., 11, 139 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель