"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры
Мурыгин В.И.1, Фаттахдинов А.У.1, Локтев Д.А.1, Гундырев В.Б.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 21 сентября 2007 г.

Рассчитана емкость барьера Шоттки и p+-n-перехода, в n-области которых имеются мелкие доноры и глубокие акцепторы с уровнями в верхней половине запрещенной зоны. Емкость представлялась в виде двух последовательно расположенных емкостей --- приконтактной области, содержащей только ионы донорной примеси, и переходного слоя на границе объемного заряда с базой диода с учетом концентрации свободных носителей заряда и ее зависимости от потенциала. Оказалось, что емкость переходного слоя в сильной степени зависит от температуры и может увеличиваться с ростом напряжения смещения. Расчетные вольт-фарадные характеристики барьерной емкости подтверждаются результатами экспериментальных работ, даже описывают немонотонные зависимости емкости от напряжения смещения. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Lq
  • А.И. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко. ФТП, 35 (3), 330 (2001)
  • А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урабев. ФТП, 16 (6), 1874 (1982)
  • Л.П. Вяткин, А.В. Дубинин, Н.К. Максимова, Н.Г. Филонов. ФТП, 15 (3), 484 (1982)
  • В.И. Мурыгин. ФТП, 34 (6), 702 (2004)
  • Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34, 558 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.