"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
Лютецкий А.В.1, Борщев К.С.2, Бондарев А.Д.1, Налет Т.А.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Фетисова Н.В.1, Хомылев М.А.1, Мармалюк А.А.3, Рябоштан Ю.Л.3, Симаков В.А.3, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3Сигм Плюс, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

В системе твердых растворов AlInGaAs/InP применена концепция мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения. Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены лазерные гетероструктуры, излучающие на длине волны 1.75-1.8 мкм. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с максимальной мощностью излучения при комнатной температуре в непрерывном режиме 2.0 и 20 Вт в импульсном режиме генерации. Внутренние оптические потери в лазерах были снижены до 2.2 см-1. PACS: 42.55.Px, 78.67.Pt, 78.60.Fi, 85.60.Jb
  • Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  • Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 764 (2006)
  • С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, А.А. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 26 (2003)
  • А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 628 (2006)
  • Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  • Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  • N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84, 547 (1998)
  • S. Adachi. Physical properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  • Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • H.K. Choi, G.W. Turner, S.I. Eglash. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 7 (1994)
  • D.Z. Garbuzov, H. Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J.C. Connolly, G.L. Belenky. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 794 (1999)
  • J. Dong, A. Ubukata, K. Matsumoto. Jap. J. Appl. Phys., 36, 5468 (1997)
  • R.U. Martinelli, T.J. Zamerowski, P.A. Longeway. Appl. Phys. Lett., 54, 277 (1989)
  • R.U. Martinelli, R.U. Menna, A. Triano, M.G. Harvey, G.H. Olsen. Electron. Lett., 30, 324 (1994)
  • С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 65 (2003)
  • А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 37, 1394 (2003)
  • С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  • С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.