"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Атомная и электронная структура поверхности GaAs(001)
Кулькова С.Е.1,2, Еремеев С.В.1,2, Постников А.В.3,4, Бажанов Д.И.5,6, Потапкин Б.В.6
1Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4Университет Поля Верлена,, Мец, Франция
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6Kinetic Technologies Ltd, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

В рамках псевдопотенциального подхода изучена атомная структура четырех структурных реконструкций полярной поверхности GaAs(001), обогащенной галлием. Определены геометрические параметры поверхностных структур alpha-, beta-, beta2- и zeta-GaAs(001)-(4-1ptx-1pt2). Рассчитана электронная структура и относительные поверхностные энергии. Рассмотрена адсорбция цезия на Ga-стабилизированной zeta-структуре GaAs(001)-(4-1ptx-1pt2). Наибольшая энергия адсорбции (2.57 эВ) получена в позиции S5, которая отличается повышенной координацией атома цезия атомами мышьяка. Анализ электронной структуры позволил прояснить механизм связи цезия на поверхности GaAs(001) и вносимые им изменения в поверхностную электронную структуру подложки. PACS: 68.35.Bs, 68.43.Bc, 68.43.Fg, 81.05.Ea
  • W.C. Schmidt. Appl. Phys. A, 75, 89 (2002)
  • M.D. Pashley. Phys. Rev. B, 40, 10 481 (1989)
  • J.E. Northrup, S. Froyen. Phys. Rev. B, 50, 2015 (1994)
  • W.G. Schmidt, S. Mirbt, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 62, 8087 (2000)
  • S.B. Zhang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 53, 1343 (1996)
  • S. Mirbt, N. Moll, A. Kley, J.D. Joannopoulos. Surf. Sci., 422, L177 (1999)
  • C.D. MacPherson, R.A. Wolkow, C.E.J. Mitchell, A.B. McLean. Phys. Rev. Lett., 77, 691 (1996)
  • L.J. Whitman, P.M. Thibado, S.C. Erwin, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. Lett., 79, 693 (1997)
  • D.K. Biegelsen, R.D. Bringans, J.E. Northrup, L.E. Swartz. Phys. Rev. B, 41, 5701 (1990)
  • Q.-K. Xue, T. Hashizume, J.M. Zhou, T. Sakata, T. Ohno, T. Sakurai. Phys. Rev. Lett., 74, 3177 (1995)
  • S.L. Skala, J.S. Hubacek, J.R. Tucker, J.W. Lyding, S.T. Chou, K.-Y. Cheng. Phys. Rev. B, 48, 9138 (1993)
  • P. Moriarty, P.H. Beton, Y.-R. Ma, A.W. Dunn, M. Henini, D.A. Woolf. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 943 (1996)
  • J. Cerda, F.J. Palomares, F. Soria. Phys. Rev. Lett., 75, 665 (1995)
  • S.-H. Lee, W. Moritz, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett., 85, 3890 (2000)
  • W.G. Schmidt, S. Mirbt, F. Bechstedt. Proc. 25th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Berlin, Springer, 2001) p. 279
  • D. Paget, Y. Garreau, M. Sauvage, P. Chiaradia, R. Pinchaux, W.G. Schmidt. Phys. Rev. B, 64, R161 305 (2001)
  • C. Kumpf, L.D. Marks, D. Ellis, D. Smilgies, E. Landemark, M. Nielsen, R. Feidenhans'l, J. Zegenhagen, O. Bunk. Phys. Rev. Lett., 86, 3586 (2001)
  • K. Seino, W.G. Schmidt, F. Bechstedt, J. Bernholc. Surf. Sci., 507--510, 406 (2002)
  • S.M. Lee, S.H. Lee, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 69, 125 317 (2004)
  • K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Japan, 59, 3455 (1990)
  • G. Kresse, J. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
  • P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
  • G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
  • G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mater. Sci., 6, 15 (1996)
  • D.K. Bowen, B.K. Tanner. J. Appl. Cryst., 28, 753 (1995)
  • J.E. Northrup, S. Froyen. Phys. Rev. Lett., 71, 2276 (1993)
  • M. Murayama, K. Shiraishi, T. Nakayama. Jap. J. Appl. Phys., 37, 4109 (1998)
  • D. Paget, O. Pulci, M. Sauvage, Y. Garreau, L. Reining, P. Chiaradia, F. Bechstedt, R. Pinchaux. Surf. Rev. Lett., 9, 1497 (2002)
  • N. Moll, A. Kley, E. Pehlke, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 54, 8844 (1996)
  • W.G. Schmidt, F. Bechstedt. Surf. Sci., 360, L473 (1996)
  • C. Hogan, D. Paget, Y. Garreau, M. Sauvage, G. Onida, L. Reining, P. Chiaradia, V. Corradini. Phys. Rev. B, 68, 205 313 (2003)
  • J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garci a, J. Junquera, P. Ordejon, D. Sanchez-Portal. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 2745 (2002)
  • P. Ordejon, E. Artacho, J.M. Soler. Phys. Rev. B, 53, R10 441 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.