Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Конверсия типа проводимости при ионном травлении узкощелевых монокристаллов HgCdTe, легированных Au и Ag

Богобоящий В.В.¹, Ижнин И.И.², Поцяск М.³, Мынбаев К.Д.⁴, Иванов-Омский В.И.⁴

¹Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
²Научно-производственное предприятие "Карат", Львов, Украина Research and Production Company Karat, Lviv, Ukraine

Research and Production Company Karat, Lviv, Ukraine

³Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 декабря 2006 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы основные закономерности вызванной ионным травлением конверсии типа проводимости из p в n в диффузионно-легированных Au и Ag монокристаллах HgCdTe. Предложен механизм конверсии, включающий быструю диффузию атомов межузельной ртути из поверхностного источника большой концентрации, и вытеснение ими атомов примеси из катионной подрешетки в междоузлия, обеспечивающее переход атомов примеси из акцепторного состояния в донорное. Показано, что структура дефектов конвертированного слоя нестабильна и его электрические параметры изменяются при хранении при комнатной температуре. Наиболее вероятным механизмом этого процесса при комнатной температуре является распад пересыщенного раствора примеси. Реконверсия обратно в p-тип, наблюдаемая при изохронном отжиге образцов, связана с диффузией примеси в конвертированный слой из неконвертированного объема образца или микровключений примеси. PACS: 61.72Vv, 66.30Jt, 73.61Ga, 81.40.Rs

В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
В.И. Стафеев, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, В.М. Акимов, Е.А. Климанов. Л.Д. Сагинов, В.Н. Соляков, Н.Г. Мансветов, В.П. Пономаренко, А.А. Тимофеев, А.М. Филачев. ФТП, 39, 1257 (2005)
I.M. Baker. C.D. Maxey. J. Electron. Mater., 30, 682 (2001)
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
V.V. Bogoboyashchyy, S.A. Dvoretsky, I.I. Izhnin, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.S. Varavin, V.A. Yudenkov. Phys. Status. Solidi C, 1, 355 (2004)
J.F. Siliquini, J.M. Dell, C.A. Musca, L. Faraone, J. Piotrowski. J. Cryst. Crowth, 184/185, 1219 (1998)
J. Antoszewski, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone J. Electron. Mater., 29, 837 (2000)
В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 44 (1), 50 (2001)
I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, N.N. Berchenko, V.A. Yudenkov. J. Alloys Comp., 371, 122 (2004)
V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, M. Pociask, A.P. Vlasov. Semicond. Sci. Technol., 21, 1144 (2006)
V.V. Bogoboyaschyy, A.I. Elizarov, I.I. Izhnin. Semicond. Sci. Technol., 20, 726 (2005)
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 40, 3 (2006)
M. Chu, S. Terterian, P.C.C. Wang, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, D.-S. Pan. Proc. SPIE Opt. Soc. Eng., 4454, 116 (2001)
Y. Selamet, Y.D. Zhou, J. Zhao, Y. Chang, C.R. Becker, R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. J. Electron Mater., 33, 503 (2004)
A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra. J. Electron Mater., 33, 737 (2004)
A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra, S. Sivananthan. J. Electron Mater., 34, 868 (2005)
J. Tregilgas, B. Gnade. J. Vac. Sci. Technol. (A), 3, 157 (1985)
I. Lyubomirsky, V. Lyakhovitskaya, J.F. Guillemoles, I. Riess, R. Triboulet, D. Cahen. J. Cryst. Growth, 161, 90 (1996)
M. Tanaka, K. Ozaki, H. Nishino, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Electron. Mater., 27, 579 (1998); H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Cryst. Growth, 214--215, 275 (2000)
L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, Азернешр, 1984)
D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 11, 169 (2000)
V.V. Bogoboyashchyy, K.R. Kurbanov. J. Alloys Comp., 371, 97 (2004)
S. Holander-Gleixner, H.G. Robinson, C.R. Helms. J. Appl. Phys., 83, 1299 (1998)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals (North-Holland, Amsterdam, 1964)]
В.О. Юденков. Вiсник Нацiонального унiверситету "Львiвська полiтехнiка", Сер. Електронiка, N 513, 96 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель