"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Конверсия типа проводимости при ионном травлении узкощелевых монокристаллов HgCdTe, легированных Au и Ag
Богобоящий В.В.1, Ижнин И.И.2, Поцяск М.3, Мынбаев К.Д.4, Иванов-Омский В.И.4
1Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
2Научно-производственное предприятие "Карат", Львов, Украина
3Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Исследованы основные закономерности вызванной ионным травлением конверсии типа проводимости из p в n в диффузионно-легированных Au и Ag монокристаллах HgCdTe. Предложен механизм конверсии, включающий быструю диффузию атомов межузельной ртути из поверхностного источника большой концентрации, и вытеснение ими атомов примеси из катионной подрешетки в междоузлия, обеспечивающее переход атомов примеси из акцепторного состояния в донорное. Показано, что структура дефектов конвертированного слоя нестабильна и его электрические параметры изменяются при хранении при комнатной температуре. Наиболее вероятным механизмом этого процесса при комнатной температуре является распад пересыщенного раствора примеси. Реконверсия обратно в p-тип, наблюдаемая при изохронном отжиге образцов, связана с диффузией примеси в конвертированный слой из неконвертированного объема образца или микровключений примеси. PACS: 61.72Vv, 66.30Jt, 73.61Ga, 81.40.Rs
  • В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
  • В.И. Стафеев, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, В.М. Акимов, Е.А. Климанов. Л.Д. Сагинов, В.Н. Соляков, Н.Г. Мансветов, В.П. Пономаренко, А.А. Тимофеев, А.М. Филачев. ФТП, 39, 1257 (2005)
  • I.M. Baker. C.D. Maxey. J. Electron. Mater., 30, 682 (2001)
  • К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
  • V.V. Bogoboyashchyy, S.A. Dvoretsky, I.I. Izhnin, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.S. Varavin, V.A. Yudenkov. Phys. Status. Solidi C, 1, 355 (2004)
  • J.F. Siliquini, J.M. Dell, C.A. Musca, L. Faraone, J. Piotrowski. J. Cryst. Crowth, 184/185, 1219 (1998)
  • J. Antoszewski, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone J. Electron. Mater., 29, 837 (2000)
  • В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 44 (1), 50 (2001)
  • I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, N.N. Berchenko, V.A. Yudenkov. J. Alloys Comp., 371, 122 (2004)
  • V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, M. Pociask, A.P. Vlasov. Semicond. Sci. Technol., 21, 1144 (2006)
  • V.V. Bogoboyaschyy, A.I. Elizarov, I.I. Izhnin. Semicond. Sci. Technol., 20, 726 (2005)
  • К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 40, 3 (2006)
  • M. Chu, S. Terterian, P.C.C. Wang, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, D.-S. Pan. Proc. SPIE Opt. Soc. Eng., 4454, 116 (2001)
  • Y. Selamet, Y.D. Zhou, J. Zhao, Y. Chang, C.R. Becker, R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. J. Electron Mater., 33, 503 (2004)
  • A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra. J. Electron Mater., 33, 737 (2004)
  • A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra, S. Sivananthan. J. Electron Mater., 34, 868 (2005)
  • J. Tregilgas, B. Gnade. J. Vac. Sci. Technol. (A), 3, 157 (1985)
  • I. Lyubomirsky, V. Lyakhovitskaya, J.F. Guillemoles, I. Riess, R. Triboulet, D. Cahen. J. Cryst. Growth, 161, 90 (1996)
  • M. Tanaka, K. Ozaki, H. Nishino, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Electron. Mater., 27, 579 (1998); H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Cryst. Growth, 214--215, 275 (2000)
  • L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
  • В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
  • Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, Азернешр, 1984)
  • D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 11, 169 (2000)
  • V.V. Bogoboyashchyy, K.R. Kurbanov. J. Alloys Comp., 371, 97 (2004)
  • S. Holander-Gleixner, H.G. Robinson, C.R. Helms. J. Appl. Phys., 83, 1299 (1998)
  • Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals (North-Holland, Amsterdam, 1964)]
  • В.О. Юденков. Вiсник Нацiонального унiверситету "Львiвська полiтехнiка", Сер. Електронiка, N 513, 96 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.