"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электролюминесценции эрбия в неупорядоченных полупроводниках, обусловленные различием заряда локализованных состояний
Шмелькин А.Б.1, Цэндин К.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Рассмотрено влияние заряда дефектов и доноров на процесс электролюминесценции. Было показано, что учет различия температурных и полевых зависимостей вероятности термостимулированных туннельных переходов электронов с D--дефектов и N0-доноров позволяет объяснить специфические температурные и полевые зависимости проводимости и электролюминесценции. PACS: 71.23.-k, 71.23.Cq
  • С.А. Козюхин, А.Р. Файрушин, Э.Н. Воронков. ФТП, 39 (8), 1011 (2005)
  • В.Х. Кудоярова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, В.М. Лебедев, Е.А. Бабенко. В сб.: Труды V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2006) с. 188
  • М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38 (4), 1189 (1996)
  • О.Б. Гусев, М.С. Бреслер, Б.П. Захарченя, А.Н. Кузнецов, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цэндин, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 41 (2), 210 (1999)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ РАН, 1997)
  • Л.Д. Ландау. Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1989)
  • С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.