Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A III 2B VI 3 (110)
Сысоев Б.И.1, Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Агапов Б.Л.1, Стрыгин В.Д.1
1Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
С использованием методов электронной микроскопии исследована поверхность арсенида галлия (100) после термической обработки в парах халькогенов. Анализ электронограмм, полученных в просвечивающей геометрии, позволил выявить эпитаксиальное соотношение подложки GaAs (100) и образующегося после обработки слоя халькогенида галлия AIII2BVI3 (110). Энергетический спектр электронных состояний вблизи поверхности GaAs (100) исследован методом изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней. Установлено, что поверхностные электронные состояния с энергией Ec-0.40 эВ отсутствуют в запрещенной зоне GaAs после обработки в парах халькогенов. Предложен механизм уменьшения плотности поверхностных электронных состояний в запрещенной зоне GaAs, основанный на реконструированной поверхности GaAs (100) в процессе гетеровалентного замещения мышьяка халькогенами с образованием тонкого псевдоморфного слоя AIII2BVI3 (110).
- L.J. Brillson. Comm. Cond. Matt. Phys., 14, 311 (1989)
- W. M\ddot onch. Rep. Progr. Phys., 53, 221 (1990)
- E. Yablonovich, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
- M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 66 (1988)
- Y. Nannichi, H. Oigawa. \it Extended Abstracts 22nd Conf. Solid State Devices and Materials (Sendai, 1990) p. 453
- J. Massies, J. Chaplart, M. Laviron, N.T. Linh. Appl. Phys, Lett., 38, 693 (1981)
- G.J. Hughes, L. Roberts, M.O. Henry, K. McGuigan et al. Mater. Sci. Eng. B, 9, 37 (1991)
- S.A. Chambers, V.S.Sundaram. Appl. Phys. Lett., 57, 2342 (1990)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
- F. Maeda, Y. Watanabe, T. Scimeca, M. Oshima. Phys. Rev. B, 48, 4956 (1993)
- Б.М. Колокольников, Ю.А. Капустин. В сб.:\it Электрическая релаксация и кинетические являения в твердых телах (С.-Петербург, 1992) с. 74
- Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Е.И. Чурсина, Г.И. Котов. Неорг. матер., 27, 1583 (1991)
- Б.И. Сысоев, А.В. Буданов, В.Д. Стрыгин. В сб.: \it Полупроводники и гетеропереходы (Таллинн, 1987) с. 32
- ASTM (Philadelphia, 1969)
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. \it Поверхности и границы раздела полупроводников (М., 1990)
- Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., 1990)
- S.Y. Tong, G. Xu, W.Y. Hu, M.W. Puga. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1076 (1985)
- K. Yamasaki, T. Sugano. Appl. Phys. Lett., 35, 932 (1979)
- H. Hasegawa, T. Sawada, T. Sakai. Surf. Sci., 16, 819 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук