Обнаружено явление твердофазной поверхностной сегрегации атомов основных компонентов твердого раствора A^IIIB^V при жидкостной эпитаксии на примере сегрегации Ga и Al в GaAlAs. Твердофазная поверхностная сегрегация заключается в перераспределении атомов основных компонентов твердого раствора при установлении термодинамического равновесия между объемом и поверхностью и возникает из-за неэквивалентности межатомных химических связей в объеме и у поверхности кристалла. Установлено, что поверхностная сегрегация наиболее ярко проявляется при условии, что скорость роста слоя существенно меньше скорости переноса атомов Ga и Al в твердой фазе. Показано, что в результате поверхностной сегрегации содержание AlAs в приповерхностной области оказывается меньшим, чем в объеме (возникает сегрегационный гетеропереход); при этом содержание AlAs в объеме гетероструктуры увеличивается при уменьшении скорости роста слоя, а содержание AlAs в приповерхностной области зависит от ориентации поверхности эпитаксиального слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.