Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионного облучения на диффузию золота в кремнии

Антонова И.В.¹, Шаймеев С.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 24 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование диффузии атомов золота из пленки, нанесенной на поверхность кремниевой пластины, при облучении потоком ионов обратной стороны полупроводниковой пластины. Показано, что воздействие ионами (Ne⁺, 100 кэВ) способствует вытеснению атомов золота из регулярного положения и препятствует диффузии Au из приповерхностной области в объем образца. Аналогичный эффект получен при возбуждении акустической волны в кристалле. Предполагается, что наблюдаемый при облучении эффект связан с упругими волнами, возникающими при торможении ионов.

В.Д. Скупов, Д.И. Тетельбаум, Г.В. Шенгуров. Письма ЖТФ, 22, 44 (1989)
Н.Т. Квасов, К.Ю. Ярашюнас, С.Ф. Спижук, С.Ю. Шилина. Физика и химия обраб. материалов, 5, 9 (1990)
П.В. Павлов, В.Д. Скупов, Д.И. Тетельбаум. Физика и химия обраб. материалов, 6, 19 (1987)
В.П. Грабчак, Л.И. Сальников, Е.И. Филиппов. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, 3, 56 (1968)
Н.Т. Баграев, В.С. Вихнин. ЖЭТФ, 86, 200 (1984)
S.M. Sze. \it Physics of Semiconductor Devices (N.Y., 1981)
Р.Ш. Малкович, В.А. Машина, Н.П. Нистерюк. ФТТ, 14, 3678 (1977)
\it Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д.Шоу (М., 1975)
J. Vanhellemont, A. Roano-Rodriuez. Appl. Phys. A, 57, 521 (1993)
Дж. Такер, В. Ремптон. \it Гиперзвук в физике твердого тела (М., 1975)
И.В. Островский, О.А. Коротченков, В.А. Лысых. ФТТ, 29, 2153 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель