Вышедшие номера
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
Булат Л.П.1, Закордонец В.С.1
1Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Вычислена термоэлектрическая добротность z биполярных полупроводниковых материалов с вырожденным газом носителей тока и непараболической зонной структурой. Проанализированы факторы, влияющие на величину z. Установлено, что добротность таких материалов монотонно возрастает с увеличением ширины запрещенной зоны в отличие от полупроводников с параболической зоной. Показано, что в кристаллических термоэлектрических материалах всегда zT<1.5.
  1. А.Ф. Иоффе. \it Полупроводниковые термоэлемены (М., Л., Изд-во АН СССР, 1960)
  2. C.B. Vining. \it Proc. XIIth Int. Conf. on Thermoelectrics, ed. by K.I.Uemura (Yokohama, Japan, 1993), N 11-x
  3. C.B. Vining. \it Proc. XIth Int. Conf. on Thermoelectrics, ed. by K.R.Rao (Univ. of Texas at Arlington, 1992) p. 276
  4. Л.И. Анатычук. \it Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник (Киев, Наук. думка, 1979)
  5. H. Littman, D. Davidson. J. Appl. Phys., 32, 217 (1961)
  6. H. Littman. J. Appl. Phys., 33, 2655 (1962)
  7. О.С. Грязнов, Б.Я. Мойжес, В.А. Немчинский. ЖТФ, 48, 1720 (1978)
  8. I.S. Buda, V.S. Lutsyak, I.M. Khamets, L.A. Shcherbina. Phys. St. Sol. (a), 123, K139 (1991)
  9. E.S. Rittner. J. Appl. Phys., 30, 701 (1959)
  10. R. Simon. J. Appl. Phys., 33, 1830 (1962)
  11. E.S. Rittner, G.F. Neumark. J. Appl. Phys., 34, 2072 (1963)
  12. D.M. Rowe, C.M. Brandari. J. Physikue Lett., 406, 49 (1985)
  13. R.W. Ure. Energy Conv., 12, 45 (1972)
  14. C.M. Bhandari, D.M. Rowe. Energy Conv., 20, 113 (1979)
  15. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. \it Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi_2Te_3 (М., Наука, 1972)
  16. R.P. Chasmar, R.J. Stratton. J. Electron. Control., 7, 52 (1959)
  17. G.D. Mahan. J. Appl. Phys., 65, 1578 (1989)
  18. Б.М. Аскеров. \it Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
  19. Л.И. Анатычук, В.А. Семенюк. \it Оптимальное управление свойствами термоэлектрических материалов и приборов (Черновцы, Прут, 1988)
  20. D.G. Ganill, R.O.Phol. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 234, 27 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.