Фоточувствительность эпитаксиальной структуры p-GaAs/ n-GaAs/ p-Si
Иванютин Л.А.1, Кацапов Ф.М.1, Рахлей С.Ю.1, Цыпленков И.Н.1
1Институт электроники Академии наук Беларуссии,, Минск, Беларуссия
Поступила в редакцию: 21 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Изложены результаты исследований фоточувствительности структуры p-GaAs/n-GaAs/p-Si, полученной выращиванием арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на кремнии с последующей диффузией цинка из бесконечного источника. Выявлено сильное влияние гетероперехода n-GaAs/p-Si на спектральную характеристику диффузионного p-n-перехода в арсениде галлия, приводящее к образованию длинноволнового противоположного по знаку максимума с lambda=0.9 мкм. Обнаружен эффект прыжкового увеличения фототока диффузионного p-n-перехода при переключении свет -> тень -> свет.
- М.Б. Каган. \it Гетерогенные, каскадные и комбинированные фотопреобразователи на основе арсенида галлия (Л., Наука, 1986) с. 205
- \it Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т.Каутса и Д.Микина (М., Мир, 1988)
- Z. Sobiesierski, D.A. Woolf, D.J. Westwood. Mater. Sci. Eng. B, 5, 275 (1990)
- Morkos Hadis. \it Heteroepitaxy silikon symp. (Palo Alto, Calif., 1986) [Pittsburgh (Pa) (1986)] p. 149
- Zwei Techologieweiten vereint / Elektroniker. BRDO, 27, N 12, p. 15
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук