Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовалось комплексообразование остаточных технологических (C, Si, H, D, N, O) и легирующих примесей (Sb, Ga, Hg) с радиационными дефектами и трансмутационными примесями (Ga, As, Se) в кристаллах германия, облученных реакторными нейтронами. В спектрах фотолюминесценции кристаллов германия (N _{Sb, Ga} < (4-7)· 10¹³ см^-3 ), трансмутационно легированных облучением тепловыми нейтронами, обнаружены центры излучательной рекомбинации с энергиями в эВ: дублет 0.7243, 0.7251 и линия 0.7358, обусловленные рекомбинацией экситонов, связанных на парах атомов As-Ga и на двухзарядном доноре Se соответственно. В облученных кристаллах Ge(Hg, Sb) с N _Hg=4.7· 10¹⁴ см^-3, N _Sb=2.2· 10¹³ см^-3 обнаружена электронно-колебательная полоса с бесфононной линией 0.7339 эВ и повторениями, соответствующими электронным переходам с эмиссией локального фонона с энергией 5.3 мэВ, что совпадает с рассчитанной величиной частоты колебаний гармонического осциллятора для пары атомов Se-Hg в германии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.