"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
Андреев А.Г.1, Воронков В.В.1, Воронкова Г.И.1, Забродский А.Г.2, Петрова Е.А.1
1Государственный институт редких металлов, Москва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Экспериментально исследован вопрос о роли кулоновского взимодействия в процессе термической ионизации основного состояния доминирующей примеси в компенсированном полупроводнике на примере серии образцов нейтронно-легированного Ge:Ga со степенью компенсации K=0.3. Термическая энергия ионизации varepsilon1 определялась из экспоненциальных температурных зависимостей коэффициента Холла в области классического транспорта равновесных дырок, созданных термической ионизацией основного состояния Ga, по валентной зоне. Показано, что в области слабого легирования N<1015 см-3=0.01 Nc (Nc --- критическая для перехода металл--изолятор концентрация Ga в Ge) изменение varepsilon1 с компенсацией и уровнем легирования описывается моделью Узакова--Эфроса. При этом известный эффект уменьшения varepsilon1 с ростом уровня легирования получает объяснение как результат релаксации зарядового состояния примесной зоны при каждом акте термической ионизации (электронный аналог принципа Франка--Кондона). При промежуточном легировании 0.01 Nc<N<0.1Nc работает модель Лиена--Шкловского, описывающая изменение varepsilon1(N,K) как результат различия в движении энергий уровня Ферми и уровня протекания.
  1. G.L. Pearson, J. Bardeen. Phys. Rev., 88, 865 (1949)
  2. Дж. Кастеллан, Ф. Зейтц. \it Об энергетических уровнях в кремнии. Полупроводниковые материалы. (М., Иностр. лит., 1954)
  3. P.P. Debye, E.M. Conwell. Phys. Rev., 93, 693 (1954)
  4. T.F. Lee, T.G. McGill. J. Appl. Phys., 46, 373 (1975)
  5. J. Monece, W. Siegel, E. Ziegler, G. Fuhnel. Phys. St. Sol. b, 103, 269 (1981)
  6. А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП, 21, 2217 (1987)
  7. М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП, 21, 810 (1987)
  8. Н. Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 1763 (1979)
  9. А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ФТП, 21, 922 (1987)
  10. H.H. Woodbury, M. Aven. Phys. Rev. B, 9, 5195 (1974)
  11. А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП, 26, 431 (1992)
  12. H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev., 119, 1239 (1960)
  13. H. Fritzsche. J. Phys. Chem. Sol., 6, 69 (1958)
  14. Д. Блекмор. \it Статистика электронов и дырок в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  15. А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП, 27, 2030 (1993)
  16. М.В. Алексеенко, А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, В.В. Попов. ФТП, 22, 140 (1988)
  17. A. Baldereshi, N.A. Lipari. Phys. Rev. B, 8, 2697 (1973); Phys. Rev. B, 9, 1525 (1974)
  18. Б.А. Андреев, В.Б. Иконников, Е.Б. Кезитов, В.Б. Шмагин. В сб.: \it Высокочистые вещества (Ин-т химии АН СССР, Горький, 1988) N 2, с. 180
  19. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. \it Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer--Verlag, Berlin, Heidelberg, N.-Y., Tokyo, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.