"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
Андреев А.Г.1, Воронков В.В.1, Воронкова Г.И.1, Забродский А.Г.2, Петрова Е.А.1
1Государственный институт редких металлов, Москва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Экспериментально исследован вопрос о роли кулоновского взимодействия в процессе термической ионизации основного состояния доминирующей примеси в компенсированном полупроводнике на примере серии образцов нейтронно-легированного Ge:Ga со степенью компенсации K=0.3. Термическая энергия ионизации varepsilon1 определялась из экспоненциальных температурных зависимостей коэффициента Холла в области классического транспорта равновесных дырок, созданных термической ионизацией основного состояния Ga, по валентной зоне. Показано, что в области слабого легирования N<1015 см-3=0.01 Nc (Nc --- критическая для перехода металл--изолятор концентрация Ga в Ge) изменение varepsilon1 с компенсацией и уровнем легирования описывается моделью Узакова--Эфроса. При этом известный эффект уменьшения varepsilon1 с ростом уровня легирования получает объяснение как результат релаксации зарядового состояния примесной зоны при каждом акте термической ионизации (электронный аналог принципа Франка--Кондона). При промежуточном легировании 0.01 Nc<N<0.1Nc работает модель Лиена--Шкловского, описывающая изменение varepsilon1(N,K) как результат различия в движении энергий уровня Ферми и уровня протекания.
  • G.L. Pearson, J. Bardeen. Phys. Rev., 88, 865 (1949)
  • Дж. Кастеллан, Ф. Зейтц. \it Об энергетических уровнях в кремнии. Полупроводниковые материалы. (М., Иностр. лит., 1954)
  • P.P. Debye, E.M. Conwell. Phys. Rev., 93, 693 (1954)
  • T.F. Lee, T.G. McGill. J. Appl. Phys., 46, 373 (1975)
  • J. Monece, W. Siegel, E. Ziegler, G. Fuhnel. Phys. St. Sol. b, 103, 269 (1981)
  • А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП, 21, 2217 (1987)
  • М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП, 21, 810 (1987)
  • Н. Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 1763 (1979)
  • А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ФТП, 21, 922 (1987)
  • H.H. Woodbury, M. Aven. Phys. Rev. B, 9, 5195 (1974)
  • А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП, 26, 431 (1992)
  • H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev., 119, 1239 (1960)
  • H. Fritzsche. J. Phys. Chem. Sol., 6, 69 (1958)
  • Д. Блекмор. \it Статистика электронов и дырок в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  • А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП, 27, 2030 (1993)
  • М.В. Алексеенко, А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, В.В. Попов. ФТП, 22, 140 (1988)
  • A. Baldereshi, N.A. Lipari. Phys. Rev. B, 8, 2697 (1973); Phys. Rev. B, 9, 1525 (1974)
  • Б.А. Андреев, В.Б. Иконников, Е.Б. Кезитов, В.Б. Шмагин. В сб.: \it Высокочистые вещества (Ин-т химии АН СССР, Горький, 1988) N 2, с. 180
  • B.I. Shklovskii, A.L. Efros. \it Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer--Verlag, Berlin, Heidelberg, N.-Y., Tokyo, 1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.