Экспериментально исследован вопрос о роли кулоновского взимодействия в процессе термической ионизации основного состояния доминирующей примеси в компенсированном полупроводнике на примере серии образцов нейтронно-легированного Ge:Ga со степенью компенсации K=0.3. Термическая энергия ионизации varepsilon₁ определялась из экспоненциальных температурных зависимостей коэффициента Холла в области классического транспорта равновесных дырок, созданных термической ионизацией основного состояния Ga, по валентной зоне. Показано, что в области слабого легирования N<10¹⁵ см^-3=0.01 N_c (N_c - критическая для перехода металл-изолятор концентрация Ga в Ge) изменение varepsilon₁ с компенсацией и уровнем легирования описывается моделью Узакова-Эфроса. При этом известный эффект уменьшения varepsilon₁ с ростом уровня легирования получает объяснение как результат релаксации зарядового состояния примесной зоны при каждом акте термической ионизации (электронный аналог принципа Франка-Кондона). При промежуточном легировании 0.01 N_c<N<0.1N_c работает модель Лиена-Шкловского, описывающая изменение varepsilon₁(N,K) как результат различия в движении энергий уровня Ферми и уровня протекания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.