"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Темновое распределение электрического поля и ток в высокоомных сильно смещенных структурах металл--диэлектрик--полупроводник
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Теоретически исследовано влияние высоты барьера Шоттки, туннельной прозрачности диэлектрика и других параметров на темновые характеристики высокоомных сильно смещенных МДПДМ структур с одиночным глубоким примесным уровнем. Найдены условия однородности электрического поля в структуре и показано, что уменьшение туннельной прозрачности приводит к раскомпенсации свободного и связанного зарядов и увеличению электрического поля вблизи анода. Определены условия инверсии (смены знака) поля у анода и область параметров, соответствующих возрастанию поля у катода с положительной кривизной.
  • Н. Мотт, Р. Герни. \it Электронные процессы в ионных кристаллах. (М., ИИЛ, 1950) с. 197
  • М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах. (М., Мир, 1973)
  • А.А. Саченко, О.В. Снитко. \it Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. (Киев, Наукова думка, 1984)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицын, В.Е. Харциев, И.Д. Ярошецкий. Препринт ФТИ N 1570 (C.-Петербург, 1991)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, 49 (1993)
  • П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  • J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 867 (1994)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 1430 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.