Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния
Каганович Э.Б.1, Манойлов Э.Г.1, Базылюк И.Р.1, Свечников С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 7 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
Исследуется эволюция спектров фотолюминесценции с временным разрешением в пленках нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением и легированных золотом. При наносекундных временах релаксации фотолюминесценции спектры - широкие, лежат в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ с максимумом при 2.4-2.8 эВ. При максимальных временах в десятки микросекунд спектры становятся более узкими с максимумом при 1.6 эВ. При промежуточных значениях времен наблюдаются две полосы: низкоэнергетическая (1.6 эВ) и высокоэнергетическая, максимум последней смещается со временем от 2.7 до 2.1 эВ. Результаты объяснены с учетом квантово-размерного эффекта, эффекта диэлектрического усиления и проявлением кинетически связанных электронно-дырочной и экситонной подсистем. Ионы и атомы золота пассивируют оборванные связи кремния на поверхности нанокристаллов Si и являются катализаторами их окисления. Рассматривается общность рекомбинационных процессов, ответственных за видимую фотолюминесценцию в окисленных слоях пористого кремния и исследуемых пленках, легированных золотом.
- М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27 (5), 871 (1993)
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
- D. Kovalev, H. Mekler, G. Polisski, F. Koch. Phys. St. Sol. (b), 215, 871 (1999)
- Y. Kanemitsu. Phys. Rep., 263, 1 (1995)
- O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
- Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, Е.Ф. Венгер. ФТП, 36 (9), 1105 (2002)
- Е.В. Kaganovich, A.A. Kudryavtsev, E.G. Manoilov, S.V. Svechnikov, I.Z. Indutnyi. Thin Sol. Films, 349, 298 (1999)
- L. Patrone, D. Nelson, V. Safarov, M. Sentis, W. Marine. J. Luminesc., 80, 217 (1999)
- А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 35 (12), 1445 (2001)
- П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, А.В Павликов, В.Ю. Тимошенко. УФЖ, 168 (5), 577 (1998)
- Yu. Krychenko, A.V. Sachenko. Physica E, in print (2002)
- M. Lanoo, C. Delerue, G. Allan. J. Liminesc., 57, 243 (1993)
- В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
- M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
- X.L. Wu, S.J. Xiong, D.L. Fan, Y. Gu, X.M. Bao, G.G. Siu, M.J. Stokes. Phys. Rev. B, 62 (12), R7759 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук