Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 3 » Статья стр. 358
<<<>>>
Кинетика роста поверхностных аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий
Титов А.И.1, Азаров А.Ю.1, Беляков В.С.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
PDF версия
С помощью метода, основанного на измерении анизотропии неупругого рассеяния электронов, исследовалось накопление структурного разупорядочения в монокристаллах Si, облучаемых ионами Ne+ с энергией 10 кэВ. Показано, что накопление разупорядочения происходит как нарастание аморфного слоя от границы между естественным окислом и кристаллическим Si. Установлено, что скорость роста аморфного слоя не зависит от плотности тока ионов и что существует пороговая доза накопления. Результаты объясняются с помощью модели, основанной на диффузии генерируемых подвижных точечных дефектов к поверхности с последующей их сегрегацией и на предположении о наличии в исходных монокристаллах насыщаемых стоков. Проведенные по этой модели численные расчеты показали хорошее согласие с экспериментальными результатами, полученными как в данной работе, так и другими авторами.
  1. E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T. Diaz de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Holland, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tash. J. Appl. Phys., 81, 6513 (1997)
  2. N.E.B. Cowern, G.F.A. van der Walle, P.C. Zalm, D.W.E. Vandenhoudt. Appl. Phys. Lett., 65, 23 (1994)
  3. А.И. Титов. Автореф. докт. дис. (Л., ЛПИ им. М.И. Калинина, 1989)
  4. В.С. Беляков, С.В. Брыксин, А.И. Титов. Высокочистые вещества, 3, 38 (1993)
  5. И.А. Аброян, В.С. Беляков, А.И. Титов. Изв. РАН. Сер. физ., 58 (10), 59 (1994)
  6. V.S. Belyakov, A.I. Titov. Rad. Eff., 138, 231 (1996)
  7. T. Lohner, E. Kotai, N.Q. Khanh, Z. Toth, M. Fried, K. Vedam, N.V. Nguyen. L.J. Hanekamp, A. van Silfhout. Nucl. Instrum. Meth., B 85, 335 (1994)
  8. A. Agarwal, T. Haynes, D.J. Eaglesham, H.-J. Gossman, D.C. Jacobson, J.M. Poate, Y.E. Erokhin. Appl. Phys. Lett., 70, 3332 (1997)
  9. K. Kimura, A. Agarwal, H. Toyofuku, K. Nakajima, H.-J. Gossman. Nucl. Instrum. Meth., B148, 284 (1999)
  10. J.A. van den Berg, S. Zhang, S. Whelan, D.G. Armour, R.D. Goldberg, P. Bailey, T.C.Q. Noakes. Nucl. Instrum. Meth., B183, 154 (2001)
  11. А.И. Титов. Тр. I конф. "Физические основы ионной имплантации" (Горький, 1972) с. 143
  12. И.А. Аброян, В.С. Беляков, А.И. Титов. Микроэлектроника, 5 (3), 231 (1976)
  13. И.А. Аброян, В.С. Беляков, А.И. Титов. Изв. АН. Сер. физ., 40, 1678 (1976)
  14. И.А. Аброян, О.Б. Бабанина, С.Л. Заславский, А.И. Титов. ФТТ, 15, 2215 (1973)
  15. И.А. Аброян, О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, А.И. Титов. Письма ЖТФ, 5, 1287 (1979)
  16. О.А. Подсвиров, А.И. Титов, В.В. Макаров. Поверхность, 11, 87 (1982)
  17. A.B. Laponsky, N.R. Whetten. Phys. Rev. Lett., 3, 510 (1959)
  18. A.J. Dekker, R.W. Soshea. Phys. Rev., 121, 1362 (1961)
  19. Практическая растровая электронная микроскопия, под ред. Дж. Гоулдстейна и Х. Яковица (М., Мир, 1978)
  20. Р. Хейденрайх. Основы просвечивающей электронной микроскопии (М., Мир, 1966)
  21. П. Хирш, А. Хови, Р Николсон, Д. Пэшли, Д. Уэллан. Электронная микроскопия тонких кристаллов (М., Мир, 1968)
  22. И.А. Аброян, А.И. Титов. ФТТ, 10, 3432 (1968)
  23. S.M. Davidson, G.R. Booker. Proc. 1st Int. Conf. on Ion Implantation (Gordon \& Breach, N. Y., 1971) p. 51
  24. О.А. Подсвиров, Ю.А. Кузнецов. ФТТ, 22, 1676 (1980)
  25. M.E. Riley, C.J. MacCallum, F. Biggs. Atomic Data and Nuclear Data Tables, 15, 443 (1975)
  26. В.В. Макаров. Автореф. докт. дис. (Л., ЛГТУ, 1990)
  27. И.А. Аброян, О.А. Подсвиров, А.И. Титов. Письма ЖТФ, 6, (1), 14 (1980)
  28. А.И. Аброян, А.В. Котов, О.А. Подсвиров, А.И. Титов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 10, 51 (1986)
  29. V.S. Belyakov, V.V. Emtsev, J.S. Colligon, P.D. Cardwell, A.I. Titov. Surf. Investigations, 14, 627 (1998)
  30. J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
  31. А.И. Герасимов, Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. ФТТ, 12, 554 (1972)
  32. В.Н. Гаштольд, Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.С. Смирнов. ФТП, 9, 554 (1975)
  33. И.А. Аброян, А.И. Титов, А.В. Хлебалкин. ФТП, 11, 712 (1977)
  34. R.D. Goldberg, J.S. Williams, R.G. Elliman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 259 (1994)
  35. A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instrum. Meth., B119, 491 (1996)
  36. T. Lohner, M. Fried, N.Q. Khanh, P. Petrik, H. Wormeester, M.A. El-Sherbiny. Nucl. Instrum. Meth., B147, 90 (1999)
  37. W. Fukarek et al. Nucl. Instrum. Meth., B 127 / 128, 879 (1997)
  38. J.J. Loferski, P. Rappaport. Phys. Rev., 111, 432 (1958)
  39. M.L. Swanson, J.R. Parsons, C.W. Hoelke. Rad. Eff., 9, 249 (1971)
  40. E.L. Vook. Radiation Damage and Defects in Semiconductors (Inst. of Physics, L., 1972)
  41. L.A. Chistel, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 52, 7143 (1981)
  42. A.I. Titov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth., B168, 365 (2000)
  43. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme