Вышедшие номера
Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах
Покутний С.И.1
1Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, Ильичевск, Украина
Поступила в редакцию: 18 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

В рамках дипольного приближения теоретически изучено межзонное поглощение света в малом полупроводником микрокристалле. Получено выражение для коэффициента поглощения света в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью микрокристалла играет доминирующую роль. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью микрокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в микрокристалле в коротковолновую сторону. Установлено, что край поглощения малых микрокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.