Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе с различной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе с трехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока--истока (в классических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока в конструкциях с одним каналом.
S. Cristoloveanu, S.Li Sheng. Electrical characterisation of silicon-on-insulator materials and devices (Kluwer Academic Publishers, Boston--Dordrecht--London, 1995)
B. Doyle, R. Arghavani, D. Barlage, S. Datta, M. Doczy, J. Kavalieros, A. Murthy, R. Chau. Intel Technical J., 06, 42 (2002)
K.K. Likharev. Proc. IEEE, 87, 606 (1999)
V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.S. Mardezhov, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. Mater. Sci. Eng., B73, 82--86 (2000)
Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, A. Kolosanov, O.V. Naumova, V.P. Popov, A.L. Aseev. Mater. Sci. Eng., C19, 189 (2002)
R. Dennard, F. Gaensslen, L. Kuhn, H. Yu. Abstracts IEEE Int. Electron Dev. Meeting (1972)
Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (М., Техносфера, 2002) с. 416
M.G. Peters, S.G. den Hartog, J.I. Dijkhuis, O.J.A. Buyk, L.W. Molenkamp. J. Appl. Phys., 84, 5052 (1998)
H. Kawaura, T. Sakamoto, T. Baba. Ext. Abstracts Int. Conf. Solid State Devices and Materials, 20 (1999)
N. Matsuo, J. Yamauchi, Y. Kitagawa, H. Hamada, T. Miura, T. Miyoshi. Jap. J. Appl. Phys., 39, 3850 (2000)
N. Ishikuro, N. Fujii, T. Saraya, T. Hiramoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 68, 3585 (1996)
L. Zhuang, L. Guo, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 72,1205 (1998)
K. Yano, T. Ishii, T. Sano, T. Mine, F. Murai, T. Kure, K. Seki. Abstracts Int. Electron Dev. Meeting (San Francisco, CA, 1998)
O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev. Microelectronic Eng., 66, 442 (2003)
H. Ishikuro, T. Hiramoto. Appl. Phys. Lett., 74, 1226 (1999)