Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронный транспорт в униполярных гетероструктурных транзисторах с квантовыми точками в сильных электрических полях

Мокеров В.Г.¹, Пожела Ю.К.², Федоров Ю.В.¹

¹Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
²Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва

Поступила в редакцию: 25 ноября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлена модель для объяснения особенностей электронного транспорта в сильных электрических полях в униполярном гетероструктурном транзисторе с квантовыми точками (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs). Показано, что двухступенчатая форма выходной вольт-амперной характеристики I_D(V_D) и аномальная зависимость тока стока I_D от напряжения на затворе V_G обусловлены ионизацией квантовых точек в сильном электрическом поле вблизи стокового края затвора. Ионизация квантовых точек зарождается при напряжении стока V_D, превышающем значение V_D1, при котором зависимость I_D(V_D) выходит на насыщение (первая ступенька вольт-амперной характеристики). При последующем увеличении V_D, т. е. при V_D>V_D1, зависимость I_D(V_D) за счет ионизации квантовых точек снова испытывает крутой подъем и затем при V_D=V_D2>V_D1 ток I_D вторично выходит на насыщение (вторая ступенька на характеристике). Этот эффект предлагается использовать для определения заселенности квантовых точек электронами. Представленная модель также описывает наблюдаемое в эксперименте двукратное изменение знака крутизны g_m=dI_D/dV_G как функции V_G.

V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, L.E. Velikowski, M.Yu. Scherbakova. Proc. 9th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2001) (Ioffe Institute, 2001) p. 453
В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Л.Э. Велиховский, М.Ю. Щербакова. Доклады Академии наук. Физика, 375, 754 (2000)
V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, L.E. Velikovskii, M.Yu. Scherbakova. Nanotechnology, 12, 552 (2001)
D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N.Y., John Willey \& Sons, 1999) p. 122
L. Jacak, P. Hawrylak, A. Wojs. Quantum Dots (Berlin, Springer Verlag, 1998)
P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, V.M. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, P.S. Kop'ev, S.G. Konnikov. Proc. 23rd Int. Conf. Physics of Semiconductors (Berlin, 1996) (Singapore, World Scientific, 1996) p. 1361
П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, И.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, И.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
И.А. Карпович, А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.Б. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов. ФТП, 35, 564 (2001)
C. Lingk, W. Helfer, G. von Plessen, J. Feldmann, K. Stock, M.W. Feise, D.S. Citrin, H. Lipsanen, M. Sopanen, R. Virkkala, J. Tulkki, J. Ahopelto. Phys. Rev. B, 62, 13 588 (2000)
A. Patane, A. Polimeni, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, A.E. Belyaev, Yu.V. Dubrovskii, P.N. Brounkov, E.E. Vdovin, Yu.N. Khanin, G. Hill. Phys. Rev. B, 62, 13 595 (2000)
В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель