Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
3Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
4Санкт-Петербургский электротехнический университет, Центр микротехнологии и диагностики, Санкт-Петербург, Россия
5Специализированные электронные системы, Москва, Россия
2Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
3Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
4Санкт-Петербургский электротехнический университет, Центр микротехнологии и диагностики, Санкт-Петербург, Россия
5Специализированные электронные системы, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами (1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки и ионно-легированных алюминием p+-1pt-n-n+-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов в эпитаксиальном слое при температурах до 700 K. После облучения образцов нейтронами с флюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре 650 K диодные характеристики облученных p+-1pt-n-n+-1pt-структур частично восстанавливались.
- Ю.Н. Николаев. Электрон. техн., 3, 54 (1966)
- В.В. Макаров. ФТТ, 13 (8), 2357 (1971)
- А.И. Вейнгер, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, 18 (11), 2153 (1984). [Sov. Phys. Semicond., 18 (11), 1256 (1984)]
- V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
- А.Ю. Никифоров, П.К. Скоробогатов, Ю.И. Сыцько. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (М., Паимс, 2002) т. 5, с. 147
- L.W. Aukerman, H.C. Garton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959) c. 388
- E.W.J. Mitchell, M.J. Moore. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965) c. 235
- C.E. Barnes. Appl. Phys. Lett., 20, 86 (1972)
- И.В. Рыжиков, И.Л. Касаткин, Е.Ф. Уваров. Электрон. техн., сер. 2, 4 (147), 9 (1981)
- В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30 (1), 112 (1996). [Semiconductors, 30 (1), 52 (1996)]
- А.Ю. Никифоров, В.В. Лучинин, В.С. Фигуров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-98" (М., СПЭЛС--НИИП, 1998) т. 1, с. 127
- S. Seshadri, A.R. Dulloo, F.H. Ruddy, J.G. Seide, L.B. Rowland. IEEE Trans. ED, 46 (3), 567 (1999)
- А.Ю. Никифоров, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.А. Петров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2001" (М., Паимс, 2001) т. 4, с. 145
- А.Ю. Никифоров, П.А. Иванов, В.В. Лучинин. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (М., Паимс, 2002) т. 5, с. 167
- E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Adas, S. Randakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.А. Петров. Петербургский журн. электроники, 3-- 4, 12 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
