Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные структуры на кристаллах In₂S₃

Боднарь И.В.¹, Полубок В.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 марта 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы соединения In₂S₃. Определены состав и структура полученных кристаллов и их электрофизические характеристики. На основе выращенных кристаллов впервые созданы фоточувствительные структуры и измерены спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования ячеек H₂O/In₂S₃. Обсуждается характер межзонного поглощения и оценены энергии прямых и непрямых оптических переходов для кристаллов In₂S₃. Указана возможность применения кристаллов In₂S₃ в широкодиапазонных (1.5-3.5 эВ) фотопреобразователях неполяризованного излучения, в том числе в разработках солнечных элементов.

Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
S.H. Wei, S.B. Tsang, A. Zumger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
E. Kauer, A. Rabenau. Z. Naturforsch. (a), 13, 531 (1958)
W. Rehwald, G. Herbeke. J. Phys. Chem. Sol., 26, 1309 (1965)
Л.Г. Старобинец, Н.Н. Ищенко, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, 1, 111 (1988)
П.П. Киш, С.Т. Орловский. ЖАХ, 17 (9), 1057 (1962)
Ф.Г. Доника, С.И. Радауцан, С.А. Семилетов, И.Г. Мустя. Кристаллические структуры неорганических соединений (Кишинев, Штиинца, 1974)
Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель