Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ультрафиолетовая люминесценция тонких пленок GaN, полученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии на пористых подложках GaAs (111)

Кидалов В.В.¹, Сукач Г.А.², Ревенко А.С.¹, Потапенко Е.П.²

¹Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина Berdyansk State Pedagogical University, Berdyansk, Ukraine

²Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 5 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии получены пленки GaN толщиной 0.1 мкм на пористых подложках GaAs(111). При температуре 4.2 K в спектре фотолюминесценции доминируют экситонные полосы люминесценции. На основе анализа энергетического положения максимума экситонных полос сделан вывод о наличии механичеcких напряжений в полученных пленках GaN.

S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier. Appl. Phys. Lett., 72, 1326 (1998)
B. Monemar. Phys. Rev. B, 52, R17028 (1974)
В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.В. Кидалов, Л.С. Лепнев. Неорг. матер., 37 (11), 1287 (2001)
Т.В. Бумхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Заде-Улы, Б.Т. Эльтазаров, Т.Г. Хулордова. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
А.Н. Грузинцев, У. Кайзер, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неорг. матер., 37 (6), 704 (2001)
B. Monemar, W.M. Chen, P.P. Paskov, T. Paskova, G. Rozina, J.P. Bergman. Phys. St. Sol. (b), 2, 489 (2001)
H. Teisseyre, G. Nowak, M. Leszczynski, I. Grzegory, M. Bockowski, S. Krukowski, S. Porowski, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K.J. Ebeling, G. Karczewski. MRS Internet, J. Nitride Semicond. Res., 1, 13 (1996)
V.V. Kidalov, G.A. Sukach, A.O. Petukhov, A.S. Revenko, E.P. Potapenko. Proc. Int. Conf. on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter ICL'02 (Budapest, Hungary, Aug. 24--29, 2002) p. 116
М.Б. Котляревский, Г.А. Сукач, В.В. Кидалов, А.С. Ревенко. ЖПС, 69 (2), 234 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель