"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий--ртуть--теллур на << альтернативных>> подложках
Сидоров Ю.Г.1, Дворецкий С.А.1, Варавин В.С.1, Михайлов Н.Н.1, Якушев М.В.1, Сабинина И.В.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Проведено рассмотрение процессов роста гетероэпитаксиальных структур на основе твердого раствора кадмий--ртуть--теллур на "альтернативных" подложках из GaAs и Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены физико-химические процессы роста и механизмы образования дефектов при эпитаксии CdZnTe на атомарно-чистой сингулярной и вицинальных поверхностях подложек из арсенида галлия и пленок CdHgTe на подложках CdZnTe/GaAs. Получены монокристаллические пленки ZnTe на подложках из кремния. Разработаны методы снижения дефектности пленок CdZnTe/GaAs и CdHgTe. Создано оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающее выращивание гетероэпитаксиальных структур КРТ с высокой однородностью состава по площади на подложках большого диаметра при непрерывном контроле состава в процессе выращивания. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероэпитаксиальные слои КРТ на GaAs с высокими электрофизическими параметрами.
  • O.K. Wu. Proc. SPIE, 2021, 79 (1993)
  • A. Kawahara, A. Ajisawa, K. Myamoto, M. Kanzaki, T. Sasaki, M. Tomono, N. Oda, T. Shima, Y. Sekihara. Proc. SPIE, 2552, 411 (1995)
  • T.J. deLyon, R.D. Ravajal, J.A. Vigil, J.E. Jensen, O.K. Wu, C.A. Cockrum, S.M. Johnson, G.M. Venzor, S.L. Baily, M.D. Kosai, W.L. Ahlgren, M.S. Smith. J. Electron. Mater., 27, 550 (1999)
  • D.M. Jamba, J.E. Jensen, P.D. Brewer, J.A. Wilson, E.A. Patten, J.T. Caulfield, P.M. Goetz. J. Electron. Mater., 27, 747 (1998)
  • В.А. Зубков, В.В. Калинин, В.Д. Кузьмин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, С.И. Стенин. Поверхность, N 9, 45 (1991)
  • J.W. Matthews. J. Vac. Sci. and Technol., 12, 126 (1975)
  • Ю.Г. Сидоров, Е.М. Труханов. Поверхность, N 6, 106 (1992)
  • С.А. Дворецкий, В.И. Бударных, А.К. Гутаковский, В.Ю. Карасев, Н.А. Киселев, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, С.И. Стенин. ДАН, 304, 604 (1989)
  • I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, V.D. Kuzmin, Yu.G. Sidorov. Phys. St. Sol. (a), 126, 181 (1991)
  • A. Krost, W. Richter, D.R.T. Zahn, K. Hingerl, H. Sitter. Appl. Phys. Lett., 57, 1981 (1990)
  • T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda. Appl. Phys. Lett., 62, 1667 (1993)
  • Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
  • М.В. Якушев, Ю.Г. Сидоров, Л.В. Соколов. Поверхность, N 10, 35 (1996)
  • В.Г. Кеслер, М.В. Якушев, Л.М. Логвинский, Ю.Г. Сидоров. Поверхность, N 2, 58 (1997)
  • Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev, D.N. Pridachin, V.S. Varavin, L.D. Burdina. Thin Sol. Films, 367, 203 (2000)
  • Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.I. Liberman. Thin Sol. Films, 306, 253 (1997)
  • Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Опт. журн., 67, 39 (2000)
  • К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, С.И. Чикичев, Д.Н. Придачин. Автометрия, N 4, 100 (1996)
  • А.С. Мардежов, Н.Н. Михайлов, В.А. Швец. Поверхность, N 12, 92 (1990)
  • K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvetz, A.S. Mardeshov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 931 (1994)
  • К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин. ЖТФ, 65, 110 (1995)
  • С.А. Дворецкий, С.А. Дулин, Н.Н. Михайлов, С.В. Рыхлицкий, Ю.Г. Сидоров. Патент на изобретение N 2149366 от 20.05.2000
  • V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. Thin Sol. Fims, 267, 121 (1995)
  • V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
  • I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.D. Kuzmin. J. Cryst. Growth, 117, 238 (1992)
  • P.S. Wijewarnasuriya, M. Zandian, D.D. Edwall, W.V. McLevige, C.A. Chen, J.G. Pasko, G. Hildebrandt, A.C. Chen, J.M. Arias, A.I. D'Souza, S. Rujirawat, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 27, 546 (1998)
  • R.K. Bhan, V. Dhar, P.K. Chaudhury. Appl. Phys. Lett., 68, 2453 (1996)
  • А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.И. Либерман, Н.Н. Михайлов. Автометрия, N 4, 51 (1996)
  • J.M. Arias, J.G. Pasko, M. Zandian, J. Bajaj, L.I. Kozlowski, R.E. DeWames, W.E. Tennant. Proc. SPIE, 2228, 210 (1994)
  • J.M. Arias, M. Zandian, S.H. Shin, J.G. Pasko, G.M. Williams, L.O. Bubulac, R.E. DeWames, W.E. Tennant. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1646 (1991)
  • Е.В. Сусов, Ю.Г. Сидоров, В.Н. Северцев, А.А. Комов, Г.В. Чеканова, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Л.И. Дьяконов. Автометрия, N 4, 40 (1996)
  • В.Н. Северцев, Е.В. Сусов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Г.В. Чеканова. Автометрия, N 4, 21 (1998)
  • В.Н. Овсюк, Ю.Г. Сидоров, В.В. Васильев, В.В. Шашкин. Прикл. физика, N 5, 58 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.