"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs
Альперович В.Л.1, Болховитянов Ю.Б.1, Чикичев С.И.1, Паулиш А.Г.1, Терехов А.С.1, Ярошевич А.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований, направленных на создание высокоэффективных источников спин-поляризованных электронов на базе гетероэпитаксиальных, упруго-деформированных пленок четверного твердого раствора InGaAsP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках GaAs. Синтезированы пленки InGaAsP толщиной 0.1--0.2 мкм, имеющие ширину запрещенной зоны в диапазоне 1.4--1.9 эВ и упругую деформацию до 1%, что обеспечило расщепление потолка валентной зоны на 40--60 мэВ и степень спиновой поляризации P фотоэмиттированных электронов до 80% с высоким квантовым выходом фотоэмиссии Y после активирования до состояния отрицательного электронного сродства путем адсорбции цезия и кислорода. Достигнуты рекордные значения эффективного параметра качества P2Y.
  • G.H. Olsen, T.J. Zamerowski. Progr. Cryst. Growth Charact., 2, 309 (1979)
  • M.B. Panich. Progr. Cryst. Growth Charact., 12, 1 (1986)
  • M. Razeghi. The MOCVD challenge (Inst. Phys. Publ., Bristol, 1995) v. 2
  • K. Nakajima. GaInAsP Alloy Semicond. ed. by T.P. Pearsall (J. Wiley \& Sons, Ltd. London, 1982) p. 43
  • R. Prepost, T. Maruyama. Ann. Rev. Nucl. Part. Sci., 45, 41 (1995)
  • G. Lampel, C. Weisbuch. Sol. St. Commun., 16, 877 (1975)
  • D.T. Pierce, R.J. Celotta, G.G. Wang, W.N. Unertl, A. Galejs, C.E. Kuyatt, S.R. Mielczarek. Rev. Sci. Insnrum., 51, 478 (1980)
  • T. Nakanishi, H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, M. Tsubata. Phys. Lett. A, 158, 345 (1991)
  • R. Alley, H. Aoyagi, J. Clendenin, J. Frisch, C. Garden, E. Hoyt, R. Kirbi, L. Klaisner, A. Kulikov, R. Miller, G. Mullhollan, C. Prescott, P. Saez, D. Schultz, H. Tang, J. Turner, K. Witte, M. Woods, A.D. Yeremin, M. Zolotarev. Nucl. Instr. and Meth. A, 365, (1995)
  • Yu.A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin, H.-J. Drouhin, G. Lampel. Sol. St. Commun., 114, 401 (2000)
  • G.A. Antypas, R.L. Moon. J. Electrochem. Soc., 120, 1574 (1973)
  • T. Omori, Y. Kurihara, T. Nakanishi, H. Aoyagi, T. Baba, T. Furuya, K. Itoga, M. Mizuta, S. Nakamura, Y. Takeuchi, M. Tsubata, M. Yoshioka. Phys. Rev. Lett., 67, 3294 (1991)
  • Y. Kurihara, T. Omori, Y. Takeuchi, M. Yoshioka, T. Nakanishi, S. Okumi, M. Tawada, K. Togawa, M. Tsubata, T. Baba, M. Mizuta, R. Alley, H. Aoyagi, J. Clendenin, J. Frisch, G. Mulhollan, P. Saez, D. Schultz, H. Tang, K. Witte. KEK Preprint 94-59; SLAC-PUB-6530 (1994)
  • A. Gomio, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  • S.H. Lee, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys. 83, 3620 (1998)
  • Yu.A. Mamaev, Yu.A. Yashin, A.V. Subashiev, M.S. Galactionov, B.S. Yavich, O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, N.N. Faleev. Phys. Low-Dim. Structur., 27, 7 (1994)
  • T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zapalac, J.C. Smith, J.D. Walker. Phys. Rev. Lett., 66, 2376 (1991)
  • В.Л. Альперович, Ю.Б. Болховитянов, А.Г. Паулиш, А.С. Терехов. Письма ЖТФ, 18 (22), 67 (1992)
  • V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. A, 340, 429 (1994)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, N.V. Nomerotsky, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, E.M. Trukhanov. J. Cryst. Growth, 146, 310 (1995)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, N.V. Nomerotsky, E.M. Trukhanov, A.S. Jaroshevich. J. Cryst. Growth, 149, 17 (1995)
  • V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Jaroshevich, A.V. Katkov, M.A. Revenko, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. J. Appl. Phys., 82, 1214 (1997)
  • V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, A.S. Jaroshevich, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. InP and Related Compounds: Materials, Appl. and Devices, ed. by M.O. Manasreh, Gordon Breach (Singapore, 2000) v. 9. p. 651
  • P. Drescher, S. Pluetzer, E. Reichert, M. Schemies, V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Jaroshevich, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. A, 381, 169 (1996)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, R.I. Bolkhovityanova, S.I. Chikichev. J. Electron. Mater., 12, 525 (1983)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, F.S. Jaroshevich, M.A. Revenko, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Semicond. Sci. Technol., 11, 1847 (1996)
  • T. Saka, T. Kato, T. Nakanishi, M. Tsubata, K. Kishino, H. Horinaka, Y. Kamiya, S. Okumi, C. Takanashi, Y. Tanimoto, M. Tawada, K. Tagawa, H. Aoyagi, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L1837 (1993)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, C.W. de-=SUP=-o-=/SUP=-Jager, E.S. Konstantinov, S.G. Konstantinov, B.L. Militsyn, N.H. Papadakis, S.G. Popov, M.J.J. van den Putte, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. Proc. 12th Int. Symp. on High--Energy Spin Phys. (Amsterdam, The Netherlands, 1997) p. 700.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.