Вышедшие номера
In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии
Косолобов С.С.1, Асеев А.Л.1, Латышев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Сообщается о применении метода сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для анализа газовых реакций на атомно-чистых поверхностях кремния. Исследованы начальные стадии взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) в интервале температур 500-900oC. В условиях термического травления поверхности кислородом визуализировано смещение моноатомных ступеней в направлении верхних террас и определены условия формирования поверхностных вакансий. Измерена зависимость скорости движения ступеней от ширины прилегающих террас. Зарегистрированы осцилляции интенсивности зеркально отраженного от поверхности кремния пучка электронов в случае реализации двумерно-островкового механизма термического травления кремния в потоке молекулярного кислорода. Получена оценка энергии активации (1.35± 0.15 эВ) поверхностной диффузии вакансий, инициированных взаимодействием кислорода с кремнием.