Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 9 » Статья стр. 1084
<<<>>>
In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии
Косолобов С.С.1, Асеев А.Л.1, Латышев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
PDF версия
Сообщается о применении метода сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для анализа газовых реакций на атомно-чистых поверхностях кремния. Исследованы начальные стадии взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) в интервале температур 500-900oC. В условиях термического травления поверхности кислородом визуализировано смещение моноатомных ступеней в направлении верхних террас и определены условия формирования поверхностных вакансий. Измерена зависимость скорости движения ступеней от ширины прилегающих террас. Зарегистрированы осцилляции интенсивности зеркально отраженного от поверхности кремния пучка электронов в случае реализации двумерно-островкового механизма термического травления кремния в потоке молекулярного кислорода. Получена оценка энергии активации (1.35± 0.15 эВ) поверхностной диффузии вакансий, инициированных взаимодействием кислорода с кремнием.
  1. H. Kahata, K. Yagi. Surf. Sci., 220, 131 (1989)
  2. F.M. Ross, J.M. Gibson. Phys. Rev. Lett., 68, 1782 (1992)
  3. K. Murooka, Y. Tanishiro, K. Takayanagi. Surf. Sci., 275, 26 (1992)
  4. T. Doi, A. Ishizaka, M. Ichikawa, S. Hosoki, K. Ninomiya. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 2986 (1995)
  5. T. Hasegawa, M. Kohno, S. Hosaka, S. Hosoki. Surf. Sci., 312, L753 (1994)
  6. J.V. Seiple, J.P. Pelz. Phys. Rev. Lett., 73, 999 (1994)
  7. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Assev. Microscopy Res. a. Techn., 20, 341 (1992)
  8. А.А. Крошков, Э.А. Баранов, О.А. Якушенко, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. ПТЭ, 1, 199 (1985)
  9. A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Surf. Sci., 213, 157 (1989)
  10. C. Alfonso, J.C. Heyraund, J.J. Metois. Surf. Sci. Lett., 291, L745 (1993)
  11. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б. Красильников, А.В. Ржанов, С.И. Стенин. ДАН, 300, 84 (1988)
  12. Y. Homma, R.J. McClelland, H. Hibino. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L2254 (1990)
  13. R.E. Schlier, H.E. Fransworth. J. Chem. Phys., 30, 917 (1959)
  14. J.J. Lander, J. Morrison. J. Appl. Phys., 33, 2089 (1962)
  15. W.K. Burton, N. Cabrera, F.C. Frank. Philos. Trans. Res. Soc. London, A243, 299 (1951)
  16. N Shimuzu, Y. Tanishiro, K. Kobayashi, K. Takayanagi, K. Yagi. Ultramicroscopy, 18, 453 (1985)
  17. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Thin Films, 281/282, 20 (1996)
  18. Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizawa. Phys. Rev. B, 55, R10237 (1997)
  19. Y. Tanishiro, K. Takayanagi, K. Yagi. Ultramicroscopy, 11, 95 (1983)
  20. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, L.V. Sokolov, A.L. Assev, S.I. Stenin. Surf. Sci., 254, 90 (1991)
  21. J.H. Neave, P.J. Dobson, B.A. Joyce. Appl. Phys. Lett., 47, 100 (1985)
  22. J.A. Venables. Surf. Sci., 299/300, 798 (1994)
  23. N. Shimuzu, Y. Tanishiro, K. Takayanagi, K. Yagi. Surf. Sci., 191, 28 (1987)
  24. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Phys. Rev. B, 54, 2586 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme