Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 7 » Статья стр. 881
<<<>>>
Сравнительный анализ длинноволновых (1.3 мкм) вертикально-излучающих лазеров на подложках арсенида галлия
Малеев Н.А.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Васильев А.П.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.
PDF версия
Рассматриваются различные варианты конструкции вертикально-излучающих лазеров диапазона длин волн 1.3 мкм на подложках арсенида галлия с активными областями на основе квантовых точек InAs/InGaAs и квантовых ям InGaAsN. Исследована взаимосвязь свойств активной области и параметров оптического микрорезонатора, необходимых для осуществления лазерной генерации. Проводится сравнительный анализ вертикально-излучающих лазеров с активными областями на основе квантовых точек InAs/InGaAs и квантовых ям InGaAsN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии и демонстрирующих лазерную генерацию в непрерывном режиме при комнатной температуре. Показано, что оптимизация конструкции вертикального микрорезонатора позволяет получить внутренние оптические потери менее 0.05% на один проход фотона.
  1. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, ed. by C.W. Wilmsen, H. Temkin and L.A. Coldren (Cambridge Univ. Press, 1999)
  2. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  3. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M.C. Larson, K. Uomi. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 487 (1998)
  4. T. Anan, K. Nishi, S. Sugou, M. Yamada, K. Tokutome, A. Gomyo. Electron. Lett., 34, 2127 (1998)
  5. D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zhou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 2564 (1998)
  6. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 1815 (1999)
  7. M. Yamada, T. Anan, K. Kurihara, K. Nishi, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett., 36, 637 (2000)
  8. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000)
  9. G. Steinle, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 37, 92 (2001)
  10. K.D. Choquette, J.F. Klem, A.J. Fisher, O. Blum, A.A. Allerman, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett., 36, 1388 (2000)
  11. S. Sato, N. Nishiyama, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Koyama, K. Iga. Electron. Lett., 36, 2018 (2000)
  12. Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Устинов, Д.А. Бедарев, Б.В. Воловик, И.Л. Крестников, И.Н. Каяндер, В.А. Одноблюдов, А.А. Суворова, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 34, 612 (2000)
  13. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, E.Yu. Kondrat'eva, D.A. Lifshits, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. IEEE Photon. Lett., 11, 1345 (1999)
  14. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, D.A. Bedarev, E.Yu. Kondrat'eva, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 2038 (1999)
  15. A.Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh.I. Alferov, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 1643 (1999)
  16. A.Yu. Egorov, D. Bernklay, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Shuster, A. Kaschner, A. Hoffmann, Gh. Dumitras, M.C. Amman, H. Riechert. Proc. of MBE XI (Beijing, 2000) [J. Cryst. Growth, (2001)]
  17. D.I. Babic, J. Piprek, K. Streubel, R.P. Mirin, N.M. Margalit, D.E. Mars, J.E. Bowers, E.L. Hu. IEEE J. Quant. Electron., 33, 1369 (1997)
  18. S. Mogg, F. Salomonsson, C. Asplund, G. Plaine, N. Chitica, M. Hammar, Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (Williamsburg, 2000) p. 388
  19. M.H. MacDougal, P.D. Dapkus, A.E. Bond, C.-K. Lin, J. Geske. IEEE J. Selected Topics Quant. Electron., 3, 905 (1997)
  20. J.A. Lott., N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. LEOS 2000, IEEE Annual Meeting Conf. Proc. (2000) v. 1, p. 304
  21. G.M. Yang, M.H. MacDougal, V. Pudikov, P.D. Dapkus. IEEE Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995)
  22. D.L. Huffuker, D.G. Deppe. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 934 (1999)
  23. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 33, 1150 (1997)
  24. M.H. MacDougal, J. Geske, C.-K. Lin, A.E. Bond, P.D. Dapkus. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 9 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme