"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4
Гриценко В.А.1, Новиков Ю.Н.1, Шапошников А.В.1, Мороков Ю.Н.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Электронная структура основных собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 рассчитана в кластерном приближении методом MINDO/3 и методом функционала плотности. Рассмотрены дефекты, представляющие интерес с точки зрения их способности захватывать электроны или дырки: трех- и двухкоординированный атомы кремния, однокоординированный атом кислорода и двухкоординированный атом азота. Для рассмотренных дефектов определен выигрыш в энергии при захвате электрона или дырки с учетом электронной и атомной релаксации. Экспериментальные рентгеновские спектры эмиссии для обоих материалов сравниваются с расчетными.
  • В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  • Silicon Nitride in Electronics (N.Y. Elsevier, 1988). [Пер. с русск.: Нитрид кремния в электронике, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1982)]
  • P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys., 55, 3495 (1984)
  • В.А. Гриценко, Р.М. Иванов, Ю.Н. Мороков. ЖЭТФ, 108, 2216 (1995)
  • В.А. Гриценко, Ю.Н. Мороков, Ю.Н. Новиков. ФТТ, 39, 1342 (1997)
  • C. Fonseca Guerra, J.G. Snijders, G. te Velde, E.J. Baerends. Theoret. Chem. Acc., 99, 391 (1998)
  • A.D. Becke. Phys. Rev. A, 38, 3098 (1988)
  • C. Lee, W. Yang, R.G. Parr. Phys. Rev. B, 37, 785 (1988)
  • A.X. Chu, W.B. Fowler. Phys. Rev. B, 41, 5061 (1990)
  • K.C. Snyder, W.B. Fowler. Phys. Rev. B, 48, 13 238 (1993)
  • A.H. Edwards, W.B. Fowler. In: Structure and Bonding in Noncrystalline Solids, ed. by G.E. Walrafen, A.G. Revesz (Plenum Press, 1986) c. 139
  • E.M. Dianov, V.O. Sokolov, V.B. Sulimov, J. Non-Cryst. Sol., 149, 5 (1992)
  • A. Simunek, J. Vackar, G. Wiech. J. Phys.: Condens. Matter., 5, 867 (1993)
  • Y.-N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 51, 17 379 (1995)
  • G. Pacchioni, M. Vitiello. J. Non-Cryst. Sol., 245, 175 (1999)
  • V.A. Gritsenko, J.B. Xu, R.W.M. Kwok, Y.H. Ng, I.H. Wilson. Phys. Rev. Lett., 81, 1054 (1998)
  • L. Skuja. J. Non-Cryst. Sol., 239, 16 (1998)
  • G. Pacchioni, G. Ierano. Phys. Rev. B, 57, 818 (1998)
  • А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO-=SUB=-2-=/SUB=- (Рига, Зинатне, 1985)
  • W.L. Warren, E.H. Poindexter, M. Offenberg, W. Muller-Warmuth. J. Electrochem. Soc., 139, 872 (1992)
  • D.L. Griscom. J. Non-Cryst. Sol., 73, 51 (1985)
  • V.A. Radzig. J. Non-Cryst. Sol., 239, 49 (1998)
  • G. Pacchioni, R. Ferrario. Phys. Rev. B, 58, 6090 (1998)
  • V.A. Gritsenko, Yu.G. Shavalgin, P.A. Pundur, H. Wong, W.M. Lau. Microelectronics Reliability, 39, 715 (1999)
  • Z. Shanfield, M.M. Moriwaki. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-31, 1242 (1984)
  • L. Skuja. J. Non-Cryst. Sol., 179, 51 (1994)
  • Yu.N. Morokov, Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko, H. Wong. Microelectronic Engineering, 48, 175 (1999)
  • V.J. Kapoor, F.J. Feigl, S.R. Butler. J. Appl. Phys., 48, 739 (1977)
  • Y. Shi, X. Wang, T.-P. Ma. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 362 (1999)
  • W.L. Warren, J. Kanichi, J. Robertson, E.H. Poindexter, P.J. McWhorter. J. Appl. Phys., 74, 4034 (1993)
  • В.А. Гриценко, А.Д. Милов. Письма ЖЭТФ, 64, 479 (1996)
  • P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  • R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
  • G. Pacchioni, D. Erbetta. Phys. Rev. B, 61, 15 005 (2000)
  • J.T. Yount, P.M. Lenahan. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 1069 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.