"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4
Гриценко В.А.1, Новиков Ю.Н.1, Шапошников А.В.1, Мороков Ю.Н.2
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Электронная структура основных собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 рассчитана в кластерном приближении методом MINDO/3 и методом функционала плотности. Рассмотрены дефекты, представляющие интерес с точки зрения их способности захватывать электроны или дырки: трех- и двухкоординированный атомы кремния, однокоординированный атом кислорода и двухкоординированный атом азота. Для рассмотренных дефектов определен выигрыш в энергии при захвате электрона или дырки с учетом электронной и атомной релаксации. Экспериментальные рентгеновские спектры эмиссии для обоих материалов сравниваются с расчетными.
  • В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  • Silicon Nitride in Electronics (N.Y. Elsevier, 1988). [Пер. с русск.: Нитрид кремния в электронике, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1982)]
  • P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys., 55, 3495 (1984)
  • В.А. Гриценко, Р.М. Иванов, Ю.Н. Мороков. ЖЭТФ, 108, 2216 (1995)
  • В.А. Гриценко, Ю.Н. Мороков, Ю.Н. Новиков. ФТТ, 39, 1342 (1997)
  • C. Fonseca Guerra, J.G. Snijders, G. te Velde, E.J. Baerends. Theoret. Chem. Acc., 99, 391 (1998)
  • A.D. Becke. Phys. Rev. A, 38, 3098 (1988)
  • C. Lee, W. Yang, R.G. Parr. Phys. Rev. B, 37, 785 (1988)
  • A.X. Chu, W.B. Fowler. Phys. Rev. B, 41, 5061 (1990)
  • K.C. Snyder, W.B. Fowler. Phys. Rev. B, 48, 13 238 (1993)
  • A.H. Edwards, W.B. Fowler. In: Structure and Bonding in Noncrystalline Solids, ed. by G.E. Walrafen, A.G. Revesz (Plenum Press, 1986) c. 139
  • E.M. Dianov, V.O. Sokolov, V.B. Sulimov, J. Non-Cryst. Sol., 149, 5 (1992)
  • A. Simunek, J. Vackar, G. Wiech. J. Phys.: Condens. Matter., 5, 867 (1993)
  • Y.-N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 51, 17 379 (1995)
  • G. Pacchioni, M. Vitiello. J. Non-Cryst. Sol., 245, 175 (1999)
  • V.A. Gritsenko, J.B. Xu, R.W.M. Kwok, Y.H. Ng, I.H. Wilson. Phys. Rev. Lett., 81, 1054 (1998)
  • L. Skuja. J. Non-Cryst. Sol., 239, 16 (1998)
  • G. Pacchioni, G. Ierano. Phys. Rev. B, 57, 818 (1998)
  • А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO-=SUB=-2-=/SUB=- (Рига, Зинатне, 1985)
  • W.L. Warren, E.H. Poindexter, M. Offenberg, W. Muller-Warmuth. J. Electrochem. Soc., 139, 872 (1992)
  • D.L. Griscom. J. Non-Cryst. Sol., 73, 51 (1985)
  • V.A. Radzig. J. Non-Cryst. Sol., 239, 49 (1998)
  • G. Pacchioni, R. Ferrario. Phys. Rev. B, 58, 6090 (1998)
  • V.A. Gritsenko, Yu.G. Shavalgin, P.A. Pundur, H. Wong, W.M. Lau. Microelectronics Reliability, 39, 715 (1999)
  • Z. Shanfield, M.M. Moriwaki. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-31, 1242 (1984)
  • L. Skuja. J. Non-Cryst. Sol., 179, 51 (1994)
  • Yu.N. Morokov, Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko, H. Wong. Microelectronic Engineering, 48, 175 (1999)
  • V.J. Kapoor, F.J. Feigl, S.R. Butler. J. Appl. Phys., 48, 739 (1977)
  • Y. Shi, X. Wang, T.-P. Ma. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 362 (1999)
  • W.L. Warren, J. Kanichi, J. Robertson, E.H. Poindexter, P.J. McWhorter. J. Appl. Phys., 74, 4034 (1993)
  • В.А. Гриценко, А.Д. Милов. Письма ЖЭТФ, 64, 479 (1996)
  • P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  • R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
  • G. Pacchioni, D. Erbetta. Phys. Rev. B, 61, 15 005 (2000)
  • J.T. Yount, P.M. Lenahan. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 1069 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.