"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si
Федина Л.И.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

На основе детального анализа кинетики роста дефектов \113\ межузельного типа в n- и p-Si при облучении in situ в высоковольтном электронном микроскопе JEOL-1250 в работе рассмотрена конкурирующая роль рекомбинации точечных дефектов и их взаимодействия с поверхностью на процесс кластеризации точечных дефектов. Показано, что доминирующее взаимодействие вакансий с поверхностью кристалла является следствием появления энергетического барьера для рекомбинации точечных дефектов в слабо легированных кристаллах Si. В этих условиях сток вакансий на поверхность обеспечивает компенсацию роста энергии кристалла, вызванной разделением пар Френкеля. Большое различие скоростей роста дефектов \113\ в n-Si и p-Si, экспериментально наблюдаемое в условиях доминирования рекомбинации, как предполагается, обусловлено различием энергетических барьеров для рекомбинации. При этом найденные величины барьеров коррелируют с энергией решеточной релаксации вакансии в различном зарядовом состоянии.
  • V.V. Voronkov. J. Crystal Growth, 59, 625 (1982)
  • R. Falster, V.V. Voronkov. MRS Bulletin, 25 ( 6), 28 (2000)
  • M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T.D. de la Rubia. Phys. Rev. B, 55, 14 279 (1997)
  • D. Maroudas, R.A. Brown. Phys. Rev. B, 47, 15 562 (1993)
  • Л.И. Федина, А.Л. Асеев, С.Г. Денисенко, Л.С. Смирнов. ФТТ, 24, 2037 (1982)
  • А.Л. Ассев, С.Г. Денисенко, Л.И. Федина. ФТП, 25, 582 (1991)
  • A. Aseev, L. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch. Clusters of Interstitial Atoms in Silicon and Germanium (Berlin, Academy Verlag, 1994)
  • U. Gosele, T.Y. Tan. Diffusion in solids, Unsolved Problems (Zurich, Trans. Tech. Publication, 1992) p. 189
  • Дж. Корбетт, Ж.Бургуэн. Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 9
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. In situ Electron Microscopy in Material Research (Dordrecht, Kluwer, 1997) ch. 4, p. 63
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Phil. Mag. A, 77, 423 (1998)
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Phys. St. Sol. (a), 171, 147 (1999)
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. Cryst. Res. Technol., 35, 775 (2000)
  • L. Fedina, O. Lebedev, G. Van Tendeloo, J. Van landuyt, O. Mironov, E. Parker. Phys. Rev. B, 61, 10 336 (2000)
  • E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T. Diaz de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Hollad, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch. J. Appl. Phys., 81, 6513 (1997)
  • P.J. Bedrossian, M.-J. Caturla, T. Diaz de la Rubia. Appl. Phys. Lett., 70, 176 (1997)
  • S. Ogut, H. Kim, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 56, R 11353 (1997)
  • Л.И. Федина, А.Л. Асеев. ФТТ, 32, 60 (1990)
  • А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966) с. 291
  • A. Antonelli, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 40, 10 643 (1989)
  • G.D. Watkins. Radiation Effects in Semiconductors (N.Y., Plenum Press, 1968) p. 67
  • Ю.М. Плишкин. Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ (Л., Наука, 1980) с. 100
  • J.D. Eshelby. J. Appl. Phys., 25, 255 (1954)
  • J. Kim, F. Kirchhoff, J.W. Wilkins, F.S. Khan. Phys. Rev. B, 84, 503 (2000)
  • J. Zhu, T. Diaz de la Rubia, L.H. Yang, C. Mailhiot, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 4741 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.