"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

В диодных гетероструктурах p-InAsSbP/n-InAs, смещенных в обратном направлении, исследовалась отрицательная люминесценция lambdamax=3.8 мкм в интервале температур 70/ 180oC. Мощность отрицательной люминесценции возрастала с повышением температуры и, начиная со 110oC, оказывалась больше мощности электролюминесценции в прямом направлении. Получены значения мощности отрицательной люминесценции 5 мВт/см2, эффективности 60% и коэффициента преобразования 25 мВт/А · см2 при 160oC.
  • B. Matveev, M. Aidaraliev, G. Gavrilov et al. Sensors \& Actuators, 51 (1--3), 233 (1998)
  • М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 102 (2000)
  • В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. ДАН СССР, 161 (6), 1308 (1965)
  • С.С. Болгов, В.К. Малютенко, А.П. Савченко. ФТП, 31 (5), 526 (1997)
  • T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. J. Cryst. Growth, 159, 1100 (1996)
  • T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. Infr. Phys. Technol., 36, 1037 (1995)
  • M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3427 (1999)
  • L.J. Olafsen, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, J.R. Waterman, W. Mason. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2681 (1999)
  • M.K. Parry, A. Krier. Electron. Lett., 30 (23), 1968 (1994)
  • M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber et al. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2384 (1999)
  • B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus', V. Shustov, G. Talalakin. J. Malinen IEE Proc. Optoelectronics, 145 (5), 254 (1998)
  • Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 3 (5), 1370 (1969)
  • A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. Technol., 38, 397 (1997)
  • С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа. Письма ЖТФ, 5 (23), 1444 (1979)
  • M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Ereny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 943 (2000)
  • M.K. Parry, A. Krier. Semicond. Sci. Technol., 8, 1764 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.