Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме

Бауман Д.А.¹, Гаврилин А.В.², Иванцов В.А.³, Морозов А.М.^4,3, Кузнецов Н.И.^4,2

¹Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³TDI Inc., Dakota, Gaithersburg MD, USA
⁴Центр исследования и роста кристаллов, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 12 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование роста эпитаксиальных слоев 4H-SiC в вакууме методом жидкофазной эпитаксии. Установлена необходимость предварительного нанесения на подложку затравочного слоя с характерными для жидкофазной эпитаксии ступенями роста. Показано, что рост в вакууме приводит к снижению концентрации некомпенсированных носителей N_d-N_a до уровня 2· 10¹⁶ см^-3.

B.J. Baliga. In: Proc. 6th Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials (Kyoto, Japan, 1995) v. 142, p. 1
S.V. Rendakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
S.V. Rendakova, V. Ivantsov, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264-- 268. 163 (1998)
V.E. Chelnokov, A.L. Syrkin, V.A. Dmitriev. Diamond and Related Mater., 6, 1480 (1997)
N.I. Kuznetsov, A.M. Morozov, D.A. Bauman, V. Ivantsov, V. Sukhoveev, I. Nikitina, A. Zubrilov, S. Rendakova, V. Dmitriev, D. Hofmann, P. Masri. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 229 (2000)
G. Sears. J. Chem. Phys., 25, 154 (1956)
M.N. Kahn, S. Nishizawa, W. Bahng, K. Arai. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 233 (2000)
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (СПб., Наука, 1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель