"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs
Брунков П.Н.1, Усов С.О.1, Мусихин Ю.Г.1, Жуков А.Е.1, Цырлин Г.Э.1, Устинов В.М.1, Конников С.Г.1, Расулова Г.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

С помощью метода электрохимического вольт-фарадного профилирования проведены исследования влияния уровня легирования на вольт-амперные характеристики полупроводниковых гетероструктур со сверхрешетками GaAs / AlGaAs. Показано, что высокая концентрация свободных электронов в сверхрешетке GaAs / AlGaAs экранирует внешнее электрическое поле и препятствует образованию домена с высоким электрическим полем, ответственного за процесс резонансного туннелирования в слабосвязанных решетках.
  • H.T. Grahn, H. Schneider, K. von Klitzing. Phys. Rev. B, 41, 2890 (1990)
  • J. Kastrup, R. Klann, H.T. Grahn, K. Ploog, L.L. Bonilla, J. Galan, M. Kindelan, M. Moscoso, R. Merlin. Phys. Rev. B, 52, 13 761 (1995)
  • J. Kastrup, R. Hey, K.H. Ploog, H.T. Grahn, L.L. Bonilla, M. Kindelan, M. Moscoso, A. Wacker, J. Galan. Phys. Rev. B, 55, 2476 (1997)
  • X.R. Wang, J.N. Wang, B.Q. Sun, D.S. Jiang. Phys. Rev. B, 61, 7261 (2000)
  • L.L. Bonilla, J. Galan, J.A. Cuesta, F.C. Martinez, J.M. Molera. Phys. Rev. B, 50, 8644 (1994)
  • A. Wacker, M. Moscoso, M. Kindelan, L.L. Bonilla. Phys. Rev. B, 55, 2466 (1997)
  • P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  • И.В. Ирин, А.В. Мурель. ПТЭ, N 6, 151 (1993)
  • В.И. Шашкин, Р.И. Каретникова, А.В. Мурель, И.М. Нефедов, И.А. Шерешевский. ФТП, 31, 926 (1997)
  • P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.