"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Тепловой расчет pin-диодов на основе карбида кремния
Гамулецкая П.Б.1, Кириллов А.В.1, Лебедев А.А.2, Романов Л.П.1, Смирнов В.А.1
1ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Приведены результаты тепловых расчетов различных конструктивных моделей pin-диодов на основе SiC с емкостью структуры 0.2 пФ при толщинах подложки 360, 50 и 2 мкм. Проведено сравнение с кремниевой pin-структурой на интегральном теплоотводе.
  1. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33, 1096 (1999)
  2. E.A. Burgemteister, W. von Muench, E. Pettenpaul. J. Appl. Phys., 50, 5790 (1979)
  3. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc, 2001) Chap. 5, p. 93
  4. А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1983)
  5. K.V. Vassilevskii, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. Mater. Res. Soc. Symp. 622, T 1.8.1. (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.