"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Тепловой расчет pin-диодов на основе карбида кремния
Гамулецкая П.Б.1, Кириллов А.В.1, Лебедев А.А.2, Романов Л.П.1, Смирнов В.А.1
1ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Приведены результаты тепловых расчетов различных конструктивных моделей pin-диодов на основе SiC с емкостью структуры 0.2 пФ при толщинах подложки 360, 50 и 2 мкм. Проведено сравнение с кремниевой pin-структурой на интегральном теплоотводе.
  • А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33, 1096 (1999)
  • E.A. Burgemteister, W. von Muench, E. Pettenpaul. J. Appl. Phys., 50, 5790 (1979)
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc, 2001) Chap. 5, p. 93
  • А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1983)
  • K.V. Vassilevskii, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. Mater. Res. Soc. Symp. 622, T 1.8.1. (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.