Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb

Бирюлин П.В.¹, Туринов В.И.¹, Якимов Е.Б.²

¹Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические характеристики из 8-элементных сурьмянисто-индиевых фотодиодных линеек при T=78-145 K. Коэффициенты взаимной связи соседних p-n-переходов не превышали 4.3%. При исследовании поверхности имплантированных цинком p-n-переходов в режиме вторичных электронов и методом наведенного тока в растровом микроскопе у них выявлены дефекты под пленкой ZnS, а также локальные неоднородности тока через p-n-переходы.

C.E. Hurwitz, J.P. Donnelly. Sol. St. Electron., 18, 753 (1975)
О.В. Косогов, Л.С. Перевязкин. ФТП, 5, 1611 (1970)
В.А. Богатырев, Г.А. Качурин, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 102 (1978)
В.А. Богатырев, Г.А. Качурин, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 878 (1978)
А.Б. Коршунов. ФТП, 13, 1846 (1979)
В.И. Стафеев. ЖТФ, 28, 1631 (1958)
В.И. Туринов. Тез. докл. 9-й науч.-техн. конф. Фотометрия и ее метрологическое обеспечение" , 24-26 ноября (М., ВНИИОФИ, 1992) с. 43
Г.Н. Панин, В.Ф. Кулешов, Е.Б. Якимов. Тез. докл. VII Всес. симп. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Изд-во Львов, гос. ун-та, 1986) ч. 1, с. 43
Е.Б. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 56, 31 (1992)
I. Bloom, Y. Nemirovsky. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1792 (1991)
G.C. Bailey, C.A. Niblack, J.T. Wimmers. SPIE, 686, 76 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель