"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния и пленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства
Ильчук Г.А.1, Климова Н.В.2, Коньков О.И.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудая Л.И.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1, Шаманин В.В.4, Юрре Т.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Методами вакуумного термического осаждения фталоцианина CuPc на поверхность кристаллического кремния и последующего магнетронного распыления мишени ZnO с добавкой Al впервые созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al--p-CuPc--n-Si. Максимальная фоточувствительность этих структур SUm~ 20 В/Вт реализуется при освещении со стороны пленки ZnO и наблюдается в диапазоне 1--3.2 эВ при T=300 K. При наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны ZnO обнаруживается наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в результате интерференции линейно поляризованного излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективах использования предложенных структур в широкополосных фотопреобразователях естественного излучения и экспрессно перестраиваемых фотоанализаторах линейно поляризованного излучения.
  • Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1988)
  • N.N. Ledentsov. IEEE Select Top Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  • Н.Н. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Коваль, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., ФТИ, 2003)
  • В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Х. Шпунт. ФТП, 31, 1 (1997)
  • C.W. Tang. Appl. Phys. Lett., 48, 183 (1986)
  • P. Penmans, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 79, 126 (2001)
  • R. Rinaldi, E. Branca, R. Cingolani, S. Masiero, G.P. Spada, G. Collareli. Appl. Phys. Lett., 78, 3541 (2001)
  • P. Penmans, S. Uchida, S.R. Forrest. Nature, 425, 158 (2003)
  • С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37, 1329 (2003)
  • E. Hernander. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
  • Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (Willey-Interscience, N. Y., 1981)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  • А. Милне, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  • Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
  • Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 100 (1996)
  • Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
  • G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.