"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния и пленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства
Ильчук Г.А.1, Климова Н.В.2, Коньков О.И.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудая Л.И.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1, Шаманин В.В.4, Юрре Т.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Методами вакуумного термического осаждения фталоцианина CuPc на поверхность кристаллического кремния и последующего магнетронного распыления мишени ZnO с добавкой Al впервые созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al--p-CuPc--n-Si. Максимальная фоточувствительность этих структур SUm~ 20 В/Вт реализуется при освещении со стороны пленки ZnO и наблюдается в диапазоне 1--3.2 эВ при T=300 K. При наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны ZnO обнаруживается наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в результате интерференции линейно поляризованного излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективах использования предложенных структур в широкополосных фотопреобразователях естественного излучения и экспрессно перестраиваемых фотоанализаторах линейно поляризованного излучения.
  1. Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1988)
  2. N.N. Ledentsov. IEEE Select Top Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  3. Н.Н. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Коваль, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., ФТИ, 2003)
  4. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Х. Шпунт. ФТП, 31, 1 (1997)
  5. C.W. Tang. Appl. Phys. Lett., 48, 183 (1986)
  6. P. Penmans, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 79, 126 (2001)
  7. R. Rinaldi, E. Branca, R. Cingolani, S. Masiero, G.P. Spada, G. Collareli. Appl. Phys. Lett., 78, 3541 (2001)
  8. P. Penmans, S. Uchida, S.R. Forrest. Nature, 425, 158 (2003)
  9. С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37, 1329 (2003)
  10. E. Hernander. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
  11. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  12. S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (Willey-Interscience, N. Y., 1981)
  13. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  14. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  15. А. Милне, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  16. Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
  17. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 100 (1996)
  18. Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
  19. G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.