"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением
Братусь В.Я.1, Окулов С.М.1, Каганович Э.Б.1, Кизяк И.М.1, Манойлов Э.Г.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Выполнены исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок кремния, сформированных методом лазерной абляции. Измерения осуществлялись в X-диапазоне с модуляцией магнитного поля на частоте ~100 кГц при температурах 300 и 77 K. Наблюдали два вида спектров. Первый вид, обнаруживающий большую концентрацию оборванных связей кремния в нанокристаллах Si и оболочках SiOx, присущ пленкам нанокристаллического кремния (nc-Si), не обладающим видимой фотолюминесценцией. Второй вид спектров, указывающий на наличие E'-центров, центров <немостиковый кислород>-дырка (NBOHC) и пероксидных радикалов, характерен для пленок с видимой фотолюминесценцией, что свидетельствует о наличии в них высокобарьерных слоев SiO2. Наблюдался эффект увеличения интенсивности фотолюминесценции и уменьшения сигнала электронного парамагнитного резонанса на пористых пленках nc-Si при длительном хранении на воздухе.
  • V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 1046 (1991)
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
  • D.H. Lowndes, D.B. Geohegan, A.A. Puretzky, D.P. Norton, C.M. Poulean. Science, 273, 898 (1996)
  • L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
  • E.B. Kaganovich, A.A. Kudryavtsev, E.G. Manoilov, S.V. Svechnikov, I.Z. Indutnyi. Thin Sol. Films, 349, 298 (1999)
  • Е.С. Демидов, В.В. Карзинов, Н.Е. Демидова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, 2003) p. 48
  • П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30 (8), 1479 (1996)
  • M. Schoisswohl, J.L. Cantin, von Bardeleben, J. Amato. Appl. Phys. Lett., 66 (26), 3660 (1995)
  • V.Ya. Bratus, M.Ya. Valakh, I.P. Vorona, T.T. Petrenko, V.A. Yukhimchuk, P.L.F. Hemment, T. Komoda. J. Luminesc., 80, 269 (1999)
  • B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
  • А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 35 (12), 1445 (2001)
  • Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. УФЖ, 46 (11), 1196 (2001)
  • Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, И.Р. Базылюк, С.В. Свечников. ФТП, 37 (3), 353 (2003)
  • Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, Е.Ф. Венгер. ФТП, 36 (9), 1105 (2002)
  • M.H. Brodsky, R.S. Title. Phys. Rev. Lett., 23, 581 (1969)
  • E. Holzenkampfer, F.-W. Richter, J. Stuke, U. Voget-Grote. J. Non-Cryst. Sol., 32, 327 (1979)
  • W.L. Warren, E.H. Poindexter, M. Offenberg, W. Muller-Warmuth. J. Electrochem. Soc., 139, 872 (1992)
  • M. Stapelbroek, D.L. Griscom, E.J. Friebele, G.H. Sigel, Jr. J. Non-Cryst. Sol., 32, 313 (1979)
  • R.A. Weeks, R.H. Magruder III, P.W. Wang. J. Non-Cryst. Sol., 149, 122 (1992)
  • D.L. Griscom, E.J. Frieble. Phys. Rev. B, 24 (8), 4896 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.