Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник и резкого p-n-перехода
Мурыгин В.И.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 4 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Рассчитаны высокочастотные емкости барьера Шоттки и резкого p-n-перехода с учетом концентрации свободных носителей заряда в области объемного заряда в полупроводнике с мелкими и глубокими примесными уровнями. Полученные формулы сопоставляются с опубликованными результатами расчетов высокочастотной емкости p-n-перехода и результатами экспериментальных исследований.
- В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТП, 1 (11), 1693 (1967)
- Л.С. Берман. ФТП, 3 (12), 1878 (1969)
- Л.С. Берман. ФТП, 4 (8), 1511 (1970)
- В.К. Григорьев, О.И. Казанцев, В.И. Мурыгин, В.С. Рубин, В.И. Стафеев. ФТП, 3 (12), 1861 (1969)
- В.И. Мурыгин, В.Б. Гундырев. Изв. вузов. Электроника, N 3 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук