Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al₂O₃

Атаев Б.М.¹, Аливов Я.И.², Мамедов В.В.¹, Махмудов С.Ш.¹, Магомедов Б.А.¹

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены первые результаты по выращиванию гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al₂O₃ в проточном реакторе пониженного давления методом химических транспортных реакций с использованием плазмы высокочастотного разряда. Активация реагентов в процессе роста позволила значительно повысить эффективное давление атомарного кислорода в реакторе и существенно снизить температуру эпитаксии, улучшить морфологические, структурные параметры слоев ZnO и сформировать гетеропереход n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al₂O₃.

Б.М. Атаев, И.К. Камилов, В.В. Лундин, В.В. Мамедов, А.К. Омаев. Письма ЖТФ, 27 (2), 30 (2001)
А.Х. Абдуев, А.Д. Адуков, Б.М. Атаев. Опт. и спектр., 50 (6), 1137 (1981)
D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky. Appl. Phys. Lett., 75, 811 (1999)
А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев. ФТП, 36 (3), 284 (2002)
А.Н. Георгобиани, М.В. Котляревский. Неорг. матер., 33, 185 (1997)
А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, А.М. Багамадова. Неорг. матер., 23, 1928 (1987)
S. Nakamura, S. Mukai, M. Senon. Jap. J. Appl. Phys., Pt 2, 30, L1998 (1991)
J. Molnar, R. Singh, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 66, 268 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель