"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Поморцева Л.И.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Предложен простой аналитический способ вычисления подвижности основных носителей заряда, позволяющий хорошо описать экспериментальные данные в широком диапазоне температур и уровней легирования в различных полупроводниковых материалах, включая элементарный полупроводник (кремний), полупроводник типа AIIIBV (арсенид галлия), полупроводник типа AIVBIV (различные политипы карбида кремния) и полупроводник типа AIIIN (нитрид галлия). Хорошая точность результатов расчета позволяет считать, что данный способ является универсальным и его можно использовать для описания подвижности основных носителей заряда в других полупроводниковых материалах. Простота и точность предложенного способа делает его полезным при разработке численных программ, предназначенных для анализа характеристик многослойных полупроводниковых структур.
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • R.A. Smith. Semiconductors (Cambridge University Press, Cambrige--London, 1978)
  • B.K. Ridley. Quatum processes in semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1982)
  • M.S. Shur. Devices and circuits (Plenum Press, N. Y.--London, 1987)
  • J. Pernot, W. Zawadski, S. Contreras, J.L. Robert, E. Neyret, L. Di Cioccio. J. Appl. Phys., 90, 1869 (2001)
  • ISE Integrated Systems Engineering AG. (1988). DESSIS Ref. Manual. Available: http://www.ise/ch/products/dessis
  • Silvaco International. (1997) ATLAS User's Manual. Santa Clara CA. Available: http://www.silvaco.com/
  • Technology Modeling Associates (TMA) Inc. (1999) MEDICI User's Manual. Available: http://www.avanticorp.com/product/
  • D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
  • N.D. Arora, J.R. Hauser, D.J. Roulston. IEEE Trans. Electron. Dev., 29, 292 (1982)
  • M. Sotoodeh, A.H. Khalid, A.A. Rezazadeh. J. Appl. Phys., 87, 2890 (2000)
  • M. Roschke, Schwierz. IEEE Trans. Electron, Dev., 48, 1442 (2001)
  • M. Ruff, H. Milehner, R. Helbig. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 1040 (1994)
  • E.A. Guttierrez-D, C. Claeys, E. Simoen, S.V. Koshevaya. Workshop on Low Tempetaature Electronics (WOLTE 3), San Miniato, Tuscany, Italy, June 24--26, 1998 (J. de Physique IV, 8, Les Editions de Physique, Le Ulis. 1998) p. 315
  • Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35, 406 (2001)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 17, 974 (2002)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva, S.N. Yurkov, G.S. Simin, M.A. Khan. Sol. St. Electron., 47, 111 (2003)
  • S.S. Li, W.R. Thurber. Sol. St. Electron., 20, 609 (1997)
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, Singapore, 1996) v. 1
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, SiC, SiGe (N. Y., John Wiley \& Sons Inc., 2001)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 1703 (2001)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. Sol. St. Electron., 46, 528 (2002)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 1953 (2002)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 93, 1095 (2003)
  • M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 699 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.