"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Поморцева Л.И.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Предложен простой аналитический способ вычисления подвижности основных носителей заряда, позволяющий хорошо описать экспериментальные данные в широком диапазоне температур и уровней легирования в различных полупроводниковых материалах, включая элементарный полупроводник (кремний), полупроводник типа AIIIBV (арсенид галлия), полупроводник типа AIVBIV (различные политипы карбида кремния) и полупроводник типа AIIIN (нитрид галлия). Хорошая точность результатов расчета позволяет считать, что данный способ является универсальным и его можно использовать для описания подвижности основных носителей заряда в других полупроводниковых материалах. Простота и точность предложенного способа делает его полезным при разработке численных программ, предназначенных для анализа характеристик многослойных полупроводниковых структур.
  1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  2. R.A. Smith. Semiconductors (Cambridge University Press, Cambrige--London, 1978)
  3. B.K. Ridley. Quatum processes in semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1982)
  4. M.S. Shur. Devices and circuits (Plenum Press, N. Y.--London, 1987)
  5. J. Pernot, W. Zawadski, S. Contreras, J.L. Robert, E. Neyret, L. Di Cioccio. J. Appl. Phys., 90, 1869 (2001)
  6. ISE Integrated Systems Engineering AG. (1988). DESSIS Ref. Manual. Available: http://www.ise/ch/products/dessis
  7. Silvaco International. (1997) ATLAS User's Manual. Santa Clara CA. Available: http://www.silvaco.com/
  8. Technology Modeling Associates (TMA) Inc. (1999) MEDICI User's Manual. Available: http://www.avanticorp.com/product/
  9. D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
  10. N.D. Arora, J.R. Hauser, D.J. Roulston. IEEE Trans. Electron. Dev., 29, 292 (1982)
  11. M. Sotoodeh, A.H. Khalid, A.A. Rezazadeh. J. Appl. Phys., 87, 2890 (2000)
  12. M. Roschke, Schwierz. IEEE Trans. Electron, Dev., 48, 1442 (2001)
  13. M. Ruff, H. Milehner, R. Helbig. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 1040 (1994)
  14. E.A. Guttierrez-D, C. Claeys, E. Simoen, S.V. Koshevaya. Workshop on Low Tempetaature Electronics (WOLTE 3), San Miniato, Tuscany, Italy, June 24--26, 1998 (J. de Physique IV, 8, Les Editions de Physique, Le Ulis. 1998) p. 315
  15. Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35, 406 (2001)
  16. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 17, 974 (2002)
  17. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva, S.N. Yurkov, G.S. Simin, M.A. Khan. Sol. St. Electron., 47, 111 (2003)
  18. S.S. Li, W.R. Thurber. Sol. St. Electron., 20, 609 (1997)
  19. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, Singapore, 1996) v. 1
  20. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, SiC, SiGe (N. Y., John Wiley \& Sons Inc., 2001)
  21. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 1703 (2001)
  22. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. Sol. St. Electron., 46, 528 (2002)
  23. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, P.A. Ivanov, A.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 46, 1953 (2002)
  24. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 93, 1095 (2003)
  25. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 699 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.