Проведено исследование влияния низкотемпературного изотермического отжига на электрофизические параметры пленок Cd_xHg_1-xTe (KPT). Пленки с составом x=0.21-0.23 и n-типа проводимости были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Отжиги проводились в интервале температур 90-230^oC и длительностью 1-1000 ч. Изменения проводимости, коэффициента Холла и времени жизни неосновных носителей при отжиге объясняются образованием вакансий ртути и выходом атомов ртути из образца. Исследовано влияние различных защитных покрытий на скорость изменения электрофизических параметров пленок КРТ. Наиболее эффективным покрытием, стабилизирующим параметры пленок n-типа, оказался анодный оксид. Анализ зависимостей эффекта Холла и проводимости от магнитного поля показал, что наблюдаемые при отжиге изменения параметров можно описать в рамках двухслойной модели с двумя типами электронов: с высокой и низкой подвижностью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.