"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe
Бахтин П.А.1, Дворецкий С.А.1, Варавин В.С.1, Коробкин А.П.1, Михайлов Н.Н.1, Сабинина И.В.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Проведено исследование влияния низкотемпературного изотермического отжига на электрофизические параметры пленок CdxHg1-xTe (KPT). Пленки с составом x=0.21-0.23 и n-типа проводимости были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Отжиги проводились в интервале температур 90-230oC и длительностью 1--1000 ч. Изменения проводимости, коэффициента Холла и времени жизни неосновных носителей при отжиге объясняются образованием вакансий ртути и выходом атомов ртути из образца. Исследовано влияние различных защитных покрытий на скорость изменения электрофизических параметров пленок КРТ. Наиболее эффективным покрытием, стабилизирующим параметры пленок n-типа, оказался анодный оксид. Анализ зависимостей эффекта Холла и проводимости от магнитного поля показал, что наблюдаемые при отжиге изменения параметров можно описать в рамках двухслойной модели с двумя типами электронов: с высокой и низкой подвижностью.
  1. W. Sang, J. Ju, W. Shi, Y. Qian. J. Cryst. Growth, 214/215, 265 (2000)
  2. I. Virt, M. Bilyk, I. Stefaniuk, M. Kuzma. Sol. St. Electron., 45, 1743 (2001)
  3. O.P. Agnohotri, C.A. Musca, L. Faraone. Semicond. Sci. Technol., 13, 839 (1998)
  4. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
  5. E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 53 (2), 1052 (1982)
  6. M.B. Reine, K.R. Maschhoff, S.P. Tobin, P.W. Norton, J.A. Mroczkowski, E.E. Krueger. Semicond. Sci. Technol., 8, 788 (1993)
  7. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, D.A. Arnold, S. Sivananthan, J.P. Faurie. Semicond. Sci. Technol., 8, 805 (1993)
  8. П.А. Бахтин, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. Тез. докл. конф. "Фотоника 2003" (Новосибирск, 2003) с. 56
  9. G.L. Destafanis. J. Cryst. Growth, 86, 700 (1988)
  10. V.V. Bogoboyashchyy. Proc. SPIE, 5065, 209 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.