"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe
Бахтин П.А.1, Дворецкий С.А.1, Варавин В.С.1, Коробкин А.П.1, Михайлов Н.Н.1, Сабинина И.В.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Проведено исследование влияния низкотемпературного изотермического отжига на электрофизические параметры пленок CdxHg1-xTe (KPT). Пленки с составом x=0.21-0.23 и n-типа проводимости были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Отжиги проводились в интервале температур 90-230oC и длительностью 1--1000 ч. Изменения проводимости, коэффициента Холла и времени жизни неосновных носителей при отжиге объясняются образованием вакансий ртути и выходом атомов ртути из образца. Исследовано влияние различных защитных покрытий на скорость изменения электрофизических параметров пленок КРТ. Наиболее эффективным покрытием, стабилизирующим параметры пленок n-типа, оказался анодный оксид. Анализ зависимостей эффекта Холла и проводимости от магнитного поля показал, что наблюдаемые при отжиге изменения параметров можно описать в рамках двухслойной модели с двумя типами электронов: с высокой и низкой подвижностью.
  • W. Sang, J. Ju, W. Shi, Y. Qian. J. Cryst. Growth, 214/215, 265 (2000)
  • I. Virt, M. Bilyk, I. Stefaniuk, M. Kuzma. Sol. St. Electron., 45, 1743 (2001)
  • O.P. Agnohotri, C.A. Musca, L. Faraone. Semicond. Sci. Technol., 13, 839 (1998)
  • Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
  • E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 53 (2), 1052 (1982)
  • M.B. Reine, K.R. Maschhoff, S.P. Tobin, P.W. Norton, J.A. Mroczkowski, E.E. Krueger. Semicond. Sci. Technol., 8, 788 (1993)
  • J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, D.A. Arnold, S. Sivananthan, J.P. Faurie. Semicond. Sci. Technol., 8, 805 (1993)
  • П.А. Бахтин, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. Тез. докл. конф. "Фотоника 2003" (Новосибирск, 2003) с. 56
  • G.L. Destafanis. J. Cryst. Growth, 86, 700 (1988)
  • V.V. Bogoboyashchyy. Proc. SPIE, 5065, 209 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.