Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов

Богданова Е.В.¹, Козловский В.В.², Румянцев Д.С.², Волкова А.А.¹, Лебедев А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 марта 2004 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведена имплантация протонов с энергией E=100 кэВ в диапазоне доз от 2·10¹⁷ до 4·10¹⁷ см^-2 в 6H- и 4H-SiC n-типа проводимости при комнатной температуре. После имплантации выполнены различные типы отжигов в диапазоне температур 550-1500^oC. Параметры образцов контролировались методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, фотолюминесценции. Обнаружен блистеринг поверхности образцов после отжига при температуре 800^oC только при имплантации протонов с дозой =< 3·10¹⁷ см^-2. Уменьшение сопротивления компенсированного слоя начинается после отжига при температуре ~1200^oC и заканчивается после отжига при температуре ~1500^oC. После имплантации наблюдается резкое уменьшение интенсивности фотолюминесценции для всех типов образцов. Восстановление интенсивности фотолюминесценции образцов начинается после отжига при температурах >= 800^oC и завершается после отжига при температуре 1500^oC.

В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
В.А. Козлов, В.В. Козловский, А.Н. Титков, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский. ФТП, 36, 1310 (2002)
А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
Y. Koshka, M. Mazzola. Appl. Phys. Lett., 79, 752 (2001)
Y. Koshka, M. Mazzola. Mater. Sci. Forum, 389--393, 609 (2002)
C. Hulsen, N. Achtziger, U. Reinlohner, W. Witthuhn. Mater. Sci. Forum, 338--342, 929 (2000)
T. Dalibor, G. Pensl, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordell. Phys. Status Solidi A, 162, 199 (1997)
A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель