"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Моисеенко А.К.1, Мусихин Ю.Г.1, Чалдышев В.В.1, Черкашин Н.Н.1, Конников С.Г.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Проведено исследование электронных ловушек в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200-300oC (LT-GaAs). Для этого использовалась емкостная спектроскопия глубоких уровней в барьерах Шоттки на n-GaAs, область объемного заряда которых содержала встроенный слой LT-GaAs толщиной ~0.1 мкм. Размер кластеров мышьяка, образующихся в LT-GaAs в результате отжига при 580oC, варьировался за счет изменения температуры роста. Обнаружено, что в слоях LT-GaAs, выращенных при 200oC и содержащих кластеры мышьяка диаметром 6-8 нм, появляются два новых типа электронных ловушек с энергиями активации термической эмиссии электронов 0.47 и 0.59 эВ и концентрацией ~1017 см-3, что сравнимо с концентрацией кластеров мышьяка, определенной с помощью просвечивающей электронной микроскопии. В слоях LT-GaAs, выращенных при 300oC, в которых кластеры мышьяка не наблюдались, обнаружены ловушки с энергией активации 0.61 эВ. Обсуждается связь этих электронных уровней с системой кластеров As и точечных дефектов в LT-GaAs.
  • M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  • M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • T.-C. Lin, T. Okumura. Jap. J. Appl. Phys., 35, 1630 (1996)
  • A.C. Warren, N. Katzenellenbogen, D. Grischkowsky, J.M. Woodall, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 58, 1512 (1991)
  • P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Logaki, C. Fotakis. Appl. Phys. Lett., 79, 2883 (2001)
  • P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  • C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.S. Tan. Appl. Phys. Lett., 69, 2543 (1996).
  • C. Steen, V. Oechsner, V. Donсhev, S. Malzer, G.H. Doehler, P. Kiesel. Proc. 4-=SUP=-th-=/SUP=- Symp. on Non-Stoichiometric III--V Compounds (Asilomar, USA, 2002), ed. by P. Specht, T.R. Weatherford, P. Kiesel, T. Marek and S. Malzer (Lehrstuhl fur Mikrocharakterisierung Friedrich--Alexander--Universitat, Erlangen--Nurnberg, 2002) p. 37
  • T.C. Lin, H.T. Kaibe, T. Okumura. Jap. J. Appl. Phys., 33, L1651 (1994)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.Е. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТТ, 32, 1161 (1998)
  • П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 32, 1170 (1998)
  • П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, А.В. Черниговский, А.А. Суворова, Н.А. Берт, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 34, 1109 (2000)
  • Jian H. Zhao, Jyh-Chwen Lee, Z.Q. Fang, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., 61, 5303 (1987)
  • Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. Известия ВУЗов. Физика, 45 (8), 3 (2002)
  • G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.