"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование потенциальных барьеров на контакте металл--полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов
Гурович Б.А.1, Аронзон Б.А.1, Рыльков В.В.1, Ольшанский Е.Д.1, Кулешова Е.А.1, Долгий Д.И.1, Ковалев Д.Ю.1, Филиппов В.И.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около 1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. В качестве полупроводникового материала выбраны пленки эпитаксиально выращенного GaAs толщиной ~ 100 нм и с концентрацией электронов 2· 1017 см-3, а в качестве металла --- W, полученный из WO3. Потенциальный рельеф формировался за счет образования барьера Шоттки на границе W/GaAs. Обнаружено, что при использовании метода СУА формируется заметно более высокий барьер Шоттки на контакте W с GaAs (~ 1 эВ), чем при использовании обычной технологии нанесения металла (0.8 эВ для W/GaAs). Представлены данные, свидетельствующие об отсутствии дефектной прослойки в подзатворной области структур, наиболее подвергаемой воздействию протонов. В частности, показано, что подвижность электронов в этой области совпадает с подвижностью объемного GaAs с тем же уровнем легирования.
  1. C. Wyon. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 186, 380 (2002)
  2. Б.А. Гурович, Д.И. Долгий, Е.А. Кулешова, Е.П. Велихов, Е.Д. Ольшанский, А.Г. Домантовский, Б.А. Аронзон, Е.З. Мейлихов. УФН, 171, 105 (2001)
  3. B.A. Gurovich, D.I. Dolgy, E.A. Kuleshova, E.Z. Meilikhov, A.G. Domantovsky, K.E. Prikhodko, K.I. Maslakov, B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, A.Yu. Yakubovsky. Microelectron. Engin., 69, 358 (2003)
  4. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  5. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  6. О.А. Голикова. ФТП, 31, 281 (1997)
  7. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, Д.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов, ФТП, 36, 65 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.