"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge+
Аврутин В.С.1, Агафонов Ю.А.1, Вяткин А.Ф.1, Зиненко В.И.1, Изюмская Н.Ф.1, Иржак Д.В.1, Рощупкин Д.В.1, Штейнман Э.А.1, Вдовин В.И.1, Югова Т.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (<105 см-2). Полученные результаты позволяют предложить метод изготовления тонких слоев SiGe на Si с высокой степенью релаксации, низкой плотностью прорастающих дислокаций и хорошей морфологией поверхности.
  1. D.J. Pau. Adv. Mater., 11, 191 (1999)
  2. A.N. Larsen. Sol. St. Phenomena, 69--70, 43 (1999)
  3. U. Kenig, J. Hersener. Sol. St. Phenomena, 47--48, 17 (1996)
  4. Y.-H. Xie, E.A. Fitzgerald, D. Monroe, G.P. Watson, P.J. Silverman. J. Appl. Phys., 33, 2372 (1994)
  5. C.W. Leitz, M.T. Currie, A.Y. Kim, J. Lai, E. Robbins, A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 90, 2730 (2001)
  6. S.Yu. Shiryaev, F. Jensen, J.W. Petersen. Appl. Phys. Lett., 64, 3305 (1994)
  7. K.K. Lindner, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
  8. I.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, I.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
  9. C.S. Peng, Z.Y. Zhao, H. Chen, J.H. Li, Y.K. Li, L.W. Guo, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72, 3160 (1998)
  10. C.S. Peng, H. Chen, Z.Y. Zhao, J.H. Li, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, C.H. Tung, T.T. Sheng, J. Wang. J. Cryst. Growth, 201 / 202, 530 (1999)
  11. E. Kasper, K. Lyutovich, M. Bauer, M. Oehme. Thin Sol. Films, 336, 319 (1998)
  12. K. Lyutovich, F. Ernst, E. Kasper, M. Bauer, M. Oehme. Sol. St. Phenomena, 69--70, 179 (1999)
  13. M.Bauer, M. Oehme, K. Lyutovich, E. Kasper. Thin Sol. Films, 336, 104 (1998)
  14. S. Mantl, B. Hollander, R. Liedtke, S. Mester, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 29 (1999)
  15. B. Hollander, S. Mantl, R. Liedtke, S. Mester, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 148, 200 (1999)
  16. R. Hull, E.A. Stach, R. Tromp, F. Ross, M. Reuter. Phys. St. Sol. (a), 171, 133 (1999)
  17. E.A. Stach, R. Hull, J.C. Bean, K.S. Jones, A. Nejim. Microsc. Microanal., 4, 294 (1998)
  18. H. Trindaus, B. Hollander, S. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchenbecker, T. Hackbarth. Appl. Phys. Lett., 76, 3552 (2000)
  19. A.F. Vyatkin, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, V.K. Egorov, V.V. Starkov, V.I. Zinenko, I.A. Smirnova, P.L.F. Hemment, A. Nejim, V.I. Vdovin, T.G. Yugova. XIII Int. Conf. on Ion Implantation Technology (IIT-2000), Alphach, Austria, 2000, IEEE (Piscataway, N. J, USA, ed. by H. Ryssel et al., 2000) xxvi + 827, p. 70
  20. A.F. Vyatkin, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, V.K. Egorov, V.V. Starkov, V.I. Zinenko, I.A. Smirnova, P.L.F. Hemment, A. Nejim. Proc. 7th Russian-Japanese Int. Symp. on Interaction of Fasf Charged Particles with Solids (Nizhnii Novgorod, 2000) p. 22
  21. V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, A.F. Vyatkin, V.I. Zinenko, Yu.A. Agafonov, D.V. Irzhak, D.V. Roshchupkin, E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova. Mater. Sci. Eng. B, 89, 350 (2002)
  22. N. Burger, E. Irion, A. Teschner, K. Thonke, R. Sauer. Phys. Rev. B, 35, 3804 (1987)
  23. D.C. Schmidt, B.G. Svensson, M. Seibt, C. Jagadish, G. Davies. J. Appl. Phys., 88, 2309 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.