"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge+
Аврутин В.С.1, Агафонов Ю.А.1, Вяткин А.Ф.1, Зиненко В.И.1, Изюмская Н.Ф.1, Иржак Д.В.1, Рощупкин Д.В.1, Штейнман Э.А.1, Вдовин В.И.1, Югова Т.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (<105 см-2). Полученные результаты позволяют предложить метод изготовления тонких слоев SiGe на Si с высокой степенью релаксации, низкой плотностью прорастающих дислокаций и хорошей морфологией поверхности.
  • D.J. Pau. Adv. Mater., 11, 191 (1999)
  • A.N. Larsen. Sol. St. Phenomena, 69--70, 43 (1999)
  • U. Kenig, J. Hersener. Sol. St. Phenomena, 47--48, 17 (1996)
  • Y.-H. Xie, E.A. Fitzgerald, D. Monroe, G.P. Watson, P.J. Silverman. J. Appl. Phys., 33, 2372 (1994)
  • C.W. Leitz, M.T. Currie, A.Y. Kim, J. Lai, E. Robbins, A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 90, 2730 (2001)
  • S.Yu. Shiryaev, F. Jensen, J.W. Petersen. Appl. Phys. Lett., 64, 3305 (1994)
  • K.K. Lindner, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
  • I.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, I.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
  • C.S. Peng, Z.Y. Zhao, H. Chen, J.H. Li, Y.K. Li, L.W. Guo, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72, 3160 (1998)
  • C.S. Peng, H. Chen, Z.Y. Zhao, J.H. Li, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, C.H. Tung, T.T. Sheng, J. Wang. J. Cryst. Growth, 201 / 202, 530 (1999)
  • E. Kasper, K. Lyutovich, M. Bauer, M. Oehme. Thin Sol. Films, 336, 319 (1998)
  • K. Lyutovich, F. Ernst, E. Kasper, M. Bauer, M. Oehme. Sol. St. Phenomena, 69--70, 179 (1999)
  • M.Bauer, M. Oehme, K. Lyutovich, E. Kasper. Thin Sol. Films, 336, 104 (1998)
  • S. Mantl, B. Hollander, R. Liedtke, S. Mester, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 29 (1999)
  • B. Hollander, S. Mantl, R. Liedtke, S. Mester, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 148, 200 (1999)
  • R. Hull, E.A. Stach, R. Tromp, F. Ross, M. Reuter. Phys. St. Sol. (a), 171, 133 (1999)
  • E.A. Stach, R. Hull, J.C. Bean, K.S. Jones, A. Nejim. Microsc. Microanal., 4, 294 (1998)
  • H. Trindaus, B. Hollander, S. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchenbecker, T. Hackbarth. Appl. Phys. Lett., 76, 3552 (2000)
  • A.F. Vyatkin, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, V.K. Egorov, V.V. Starkov, V.I. Zinenko, I.A. Smirnova, P.L.F. Hemment, A. Nejim, V.I. Vdovin, T.G. Yugova. XIII Int. Conf. on Ion Implantation Technology (IIT-2000), Alphach, Austria, 2000, IEEE (Piscataway, N. J, USA, ed. by H. Ryssel et al., 2000) xxvi + 827, p. 70
  • A.F. Vyatkin, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, V.K. Egorov, V.V. Starkov, V.I. Zinenko, I.A. Smirnova, P.L.F. Hemment, A. Nejim. Proc. 7th Russian-Japanese Int. Symp. on Interaction of Fasf Charged Particles with Solids (Nizhnii Novgorod, 2000) p. 22
  • V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, A.F. Vyatkin, V.I. Zinenko, Yu.A. Agafonov, D.V. Irzhak, D.V. Roshchupkin, E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova. Mater. Sci. Eng. B, 89, 350 (2002)
  • N. Burger, E. Irion, A. Teschner, K. Thonke, R. Sauer. Phys. Rev. B, 35, 3804 (1987)
  • D.C. Schmidt, B.G. Svensson, M. Seibt, C. Jagadish, G. Davies. J. Appl. Phys., 88, 2309 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.