"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот на основе сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток
Павельев Д.Г.1, Демарина Н.В.1, Кошуринов Ю.И.1, Васильев А.П.2, Семенова Е.С.2, Жуков А.Е.2, Устинов В.М.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Исследованы характеристики омических контактов на основе InGaAs в планарных диодах на полупроводниковых сверхрешетках с малой площадью активной области (1-10 мкм2). Диоды изготавливались на основе коротких (18 или 30 периодов) высоколегированных (1018 см-3) GaAs/AlAs-сверхрешеток с шириной минизоны 24.4 мэВ. Величина приведенного сопротивления омического контакта при комнатной температуре составила 2·10-7 Ом·см2. Показано, что свойства созданных планарных диодов позволят в дальнейшем использовать их в полупроводниковых приборах, функционирующих в терагерцовой области частот в широком диапазоне температур (4-300 K).
  • СВЧ полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Г. Уотсона (М., Мир, 1972) с. 217. [Пер. с англ.: Microwave semiconductor devices and their circuit applications, ed. by H.A. Watson (N.Y.--Toronto--London--Sydney, McGraw-Hill Book Company, 1969)]
  • Техника спектроскопии в дальней инфракрасной субмиллиметровой и миллметровой областях спектра, ред. Т.М. Лифшиц (М., Мир, 1970). [Пер. с англ.: Spectroscopic techniques for far-infrared, submillimeter and millimeter waves, ed. by D.H. Martin (Amsterdam, North-Holland Publishing Company, 1967)]
  • J.A. Calviello. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-26, 1273 (1979)
  • F. Lewen, R. Gendriesh, I. Pak, D.G. Paveliev, M. Hepp, R. Schieder, G. Winnerwisser. Rev. Sci. Instrum., 69, 32 (1998)
  • F. Maiwald, F. Lewen, B. Vowinkel, W. Jabs, D.G. Paveljev, M. Winnerwisser, G. Winnerwisser. IEEE Micorwave and Guided Wave Lett., 9, 198 (1999)
  • F. Maiwald, F. Lewen, V. Ahrens, M. Beaky, R. Gendriesch, A.N. Koroliev, A.A. Negirev, D.G. Paveliev, B. Vowinkel, G. Winnewisser. J. Mol. Spectrosc., 202, 166 (2000)
  • C.-I. Lin, A. Vogt, M. Rodriguez-Gironez, A. Simon, H.L. Hartnagel. Annual Report (Technische Universitaet Darmstadt, 1998, p. 33); http://www.hf.e-technik.tu-darmstadt.de/forschung/jahreberichte/JB1998/index.php
  • S. Brandl, E. Schomburg, R. Scheuerer, K. Hofbeck, J. Grenzer, K.F. Penk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, A. Zhukov, A. Kovsch, V. Ustinov, S. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 73, 3117 (1998)
  • E. Schomburg, K. Hofbeck, R. Scheuerer, M. Haeussler, K.F. Renk, A.-K. Jappsen, A. Amann, A. Wacker, E. Scholl, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov. Phys. Rev. B, 65, 155 320 (2002)
  • L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. and Dev., 14, 61 (1970)
  • S. Winnerl, E. Schomburg, J. Grenzer, H.-J. Regl, A.A. Ignatov, A.D. Semenov, K.F. Renk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, B. Melzer, V. Ustinov, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 56, 10 303 (1997)
  • N. Braslau, J.B. Gunn, J.L. Staples. Sol. St. Electron., 10, 381 (1967)
  • N. Braslau. J. Vac. Sci. Technol., 19, 803 (1981)
  • C.P. Lee. Electron. Lett., 12, 406 (1981)
  • K.A. Jones, E.H. Linfield, J.E.F. Frost. Appl. Phys. Lett., 69, 4197 (1996)
  • R. de L. Kronnig, W.G. Penney. Proc. Royal Soc., A130, 499 (1931)
  • G. Bastard. Wave Mechnaics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, 1988)
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 33. Пер. с англ.: M. Shur. GaAs devices and circuits (N.Y.--London, Plenum Press, 1987)
  • C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55, 645 (1983)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц Теоретическая физика, т. III. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
  • W. Fawsett, D.A. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
  • J.G. Ruch, W. Fawsett. J. Appl. Phys., 41, 3843 (1970)
  • A. Wacker, A.-P. Jauho. Superlat. Microstruct., 23, 297 (1998)
  • J.M. Woodall, J.L. Freeouf, G.D. Pettit, T. Jackson, P. Kirchner. J. Vac. Sci. Technol., 19, 626 (1981)
  • Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, С.С. Михрин, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, П.С. Копьев. Нанофотоника. Материалы совещания (Н. Новгород, ИФМ РАН, 2002) с. 116
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, 2.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.