"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений при облучении alpha-частицами
Дапкус Л.1, Пожела К.1, Пожела Ю.1, Шиленас А.1, Юцене В.1, Ясутис В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 25 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Исследовано влияние облучения alpha-частицами на величину токового и оптического отклика варизонных детекторов alpha-частиц и рентгеновского излучения в системе AlxGa1-xAs/GaAs. Установлено, что снижение величины как токового, так и оптического отклика обусловлено ростом скорости безызлучательной рекомбинации при увеличении дозы облучения alpha-частицами.
  1. А.С. Волков. ФТП, 15, 1105 (1981)
  2. J. Pozela, K. Pozela, A. Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, A. Kindurys, V. Juciene. ФТП, 36, 124 (2002). [Semiconductors, 36, 116 (2002)]
  3. A. Silenas, J. Pozela, K.M. Smith, K. Pozela, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 487, 54 (2002)
  4. В.М. Андреев, В.Н. Блинов, В.А. Носенко, О.Г. Резванов, В.Н. Родионова. ФТП, 8, 1227 (1974)
  5. А.С. Волков, Г.В. Царенков. ФТП, 11, 1709 (1977)
  6. J. Pozela, K. Pozela, A. Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 460, 41 (2001)
  7. K. Pozela, J. Pozela, A. Silenas, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 460, 119 (2001)
  8. K. Pozela, J. Pozela, L. Dapkus, V. Jasutis, A. Silenas, K.M. Smith, R.A. Bendorius. Nucl. Instrum. Meth. A, 466, 58 (2001)
  9. W. Lu, Y.L. Ji, G.B. Chen, N.Y. Tang, X.C. Chen, S.C. Shen, Q.X. Zhao, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 83, 4300 (2003)
  10. A. Silenas, K. Pozela, L. Dapkus, V. Jasutis, V. Juciene, J. Pozela, K.M. Smith. Nucl. Instrum. Meth. A, 509, 30 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.